6月29日消息，英特爾研究院宣布其集成光電研究取得重大進展，這是提高數據中心內(nei) 和跨數據中心計算芯片互聯帶寬的下一個(ge) 前沿領域。這一最新研究在多波長集成光學領域取得了業(ye) 界領 先的進展，展示了完全集成在矽晶圓上的八波長分布式反饋（DFB）激光器陣列，輸出功率均勻性達到+/- 0.25分貝（dB），波長間隔均勻性到達±6.5%，均優(you) 於(yu) 行業(ye) 規範。

英特爾研究院資深首席工程師榮海生表示：“這項新的研究表明，均勻密集的波長和良好適配的輸出功率是可以同時實現的，最重要的是，能夠利用英特爾晶圓廠現有的生產(chan) 和製程控製技術做到這一點。因此，它為(wei) 下一代光電共封裝和光互連器件的量產(chan) 提供了一條清晰的路徑。”

利用這一新進展生產(chan) 的光源將具備未來大規模應用所需的性能，如可用於(yu) 那些處理AI和機器學習(xi) 等新興(xing) 網絡密集型工作負載的光電共封裝和光互連器件。這一激光器陣列基於(yu) 英特爾300毫米矽光子製程製造，為(wei) 量產(chan) 和廣泛部署鋪平了道路。

據Gartner預測，到2025年，超過20%的數據中心高帶寬通道將使用矽光子，而在2020年這一比例還不到5%。此外，矽光子潛在市場的規模也達到了26億(yi) 美元。對低功耗、高帶寬和快速的數據傳(chuan) 輸的需求帶來了矽光子需求的同步增長，以支持數據中心應用和其它方麵。

光連接在20世紀80年代開始取代銅線，是因為(wei) 光纖中固有的高帶寬光傳(chuan) 輸優(you) 於(yu) 通過金屬線纜傳(chuan) 輸的電脈衝(chong) 。從(cong) 那時起，由於(yu) 組件尺寸和成本的降低，光纖技術變得更加高效，促成了過去幾年裏光互連網絡解決(jue) 方案的突破性進展，這些進展通常用於(yu) 交換機、數據中心和其他高性能計算環境。

隨著電氣互連性能逐漸接近實際極限，將矽電路和光學器件並排集成在同一封裝上，有望在未來提高輸入/輸出（I/O）接口的能源效率，延長其傳(chuan) 輸距離。這些光子技術是在英特爾晶圓廠中使用現有製程技術實現的，這意味著在實現大規模生產(chan) 後，其成本將會(hui) 降低。

最新的光電共封裝解決(jue) 方案使用了密集波分複用（DWDM）技術，展現了在增加帶寬的同時顯著縮小光子芯片尺寸的前景。然而，截止到目前，要製造具有均勻波長間隔和功率的密集波分複用光源還非常困難。

英特爾的這一新進展則確保了光源在保持波長分隔一致性的同時有均勻的輸出功率，滿足了光計算互聯和密集波分複用通信的需求。使用光互連的下一代輸入/輸出接口可針對未來AI和機器學習(xi) 工作負載的極高帶寬需求進行定製。

8個(ge) 微環調製器和光波導。每個(ge) 微環調製器都被調節到特定的波長（或者說“光色”）。利用多波長，每個(ge) 微環都可單獨調製光波，以實現獨立通信。這種使用多個(ge) 波長的方法就叫做波分複用。（圖片來源：英特爾公司）

八波長分布式反饋激光器陣列是在英特爾的商用300 mm混合矽光子平台設計和製造的，這一平台被用於(yu) 量產(chan) 光收發器。基於(yu) 與(yu) 製造300 mm矽晶圓相同的，嚴(yan) 格製程控製下的光刻技術，此項創新實現了大型CMOS晶圓廠激光器製造能力的重大飛躍。

8通道III-V族/矽混合分布式反饋激光器陣列。通過實現匹配功率和均勻波長間隔，這一創新標誌著大型晶圓廠量產(chan) 多波長激光器能力的重大飛躍。

在這項研究中，英特爾使用了先進的光刻技術，以在III-V族晶圓鍵合製程前完成矽片中波導光柵的配置。與(yu) 在三或四英寸III-V族晶圓廠製造的普通半導體(ti) 激光器相比，這項技術提高了波長均勻性。此外，由於(yu) 激光器的高密度集成，陣列在環境溫度改變時也能保持通道間距的穩定。

未來，作為(wei) 矽光子技術的先鋒，英特爾將繼續致力於(yu) 研究各類解決(jue) 方案，以滿足日益增長的對效率更高、功能更全麵的網絡基礎設施的需求。目前，英特爾正在開發的集成光電關(guan) 鍵構建模塊包括光的產(chan) 生、放大、檢測、調製、CMOS接口電路和封裝集成。

此外，八波長集成激光器陣列製造技術的許多方麵正被英特爾的矽光子產(chan) 品部門（Silicon Photonics Products Division）用於(yu) 打造未來的光互連芯粒。這一即將推出的產(chan) 品將在包括CPU、GPU和內(nei) 存在內(nei) 的各種計算資源之間，實現低功耗、高性能、太比特每秒（multi-terabits per second）的互連。對實現光互連芯粒的大規模製造和部署而言，集成激光器陣列是縮小體(ti) 積、降低成本的關(guan) 鍵。

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