光刻機已是當下中國芯片製造的最大瓶頸，為(wei) 此中國芯片產(chan) 業(ye) 鏈一直都在共同努力，力求打破這一難關(guan) ，而哈工大公布的光刻機技術將有助於(yu) 打破這個(ge) 環節，國產(chan) 芯片的先進工藝問題將因此得以解決(jue) 。

光刻機的研發難度非常大，雖然全球僅(jin) 有ASML可以生產(chan) 出先進光刻機，然而ASML自身也無法完全搞定整個(ge) 光刻機元件，它自己僅(jin) 能完成其中10%的零部件，其他零部件需要全球20多個(ge) 國家的5000多家企業(ye) 配合，由此可見光刻機這條產(chan) 業(ye) 鏈多麽(me) 長。

中國的光刻機研發進展落後於(yu) 其他環節，恰恰就在於(yu) 產(chan) 業(ye) 鏈需要逐步完善，由於(yu) 眾(zhong) 所周知的原因，中國不僅(jin) 難以買(mai) 到先進光刻機，連先進光刻機的元件都難以買(mai) 到，迫使我們(men) 建設自己的光刻機產(chan) 業(ye) 鏈。

此前在國內(nei) 產(chan) 業(ye) 鏈的支持下，已逐步解決(jue) 了雙工作台、物鏡係統、激光光源等諸多光刻機零部件，這次哈工大研發的“高速超精密激光幹涉儀(yi) ”，這項技術是14納米光刻機的重要技術，可以確保掩膜工作台、雙工作台和物鏡係統之間複雜的相對位置，實現光刻機的整體(ti) 套刻精度，可以確保諸多元件整合成係統後的芯片工藝精度，已是光刻機的最後技術之一，也意味著國產(chan) 先進光刻機即將完成最後的步驟。

對於(yu) 芯片製造工藝來說，14納米光刻機並不僅(jin) 限於(yu) 生產(chan) 14納米工藝，通過多重曝光技術可以實現接近7納米的工藝，其實此前台積電和三星都並非是從(cong) 14納米一步邁進到7納米，還研發了10納米、8納米等工藝，甚至在7納米工藝上也有7納米和7納米EUV之分，故以14納米光刻機生產(chan) 接近7納米工藝的芯片是有可能的。

國產(chan) 芯片除了在芯片製造工藝方麵努力之外，還積極開發小芯片技術，通過將兩(liang) 塊芯片堆疊可以大幅提升性能；將不同工藝、不同功能的芯片封裝在一起也能大幅提升性能，這些技術台積電、Intel都在嚐試，因為(wei) 當前的矽基芯片達到3納米之後已接近極限，開發芯片封裝技術已成為(wei) 芯片行業(ye) 發展的一個(ge) 方向。

國產(chan) 芯片製造工藝如果能達到7納米，加上小芯片技術，那麽(me) 國產(chan) 芯片的性能可望進一步提升至接近5納米，到那個(ge) 時候，困擾國產(chan) 芯片的最大障礙將被徹底解決(jue) ，美國意圖以先進芯片技術阻礙中國科技體(ti) 係發展的圖謀將破產(chan) 。

其實國產(chan) 芯片如今在多條途徑上發展先進芯片，上述這些都是基於(yu) 現有的矽基芯片技術，而歐美發展矽基芯片技術已有近百年曆史，這讓他們(men) 在矽基芯片方麵保持著領先優(you) 勢，中國除了在矽基芯片上加快追趕之外，還在開發更先進的芯片技術，如量子芯片、光子芯片、碳基芯片技術等，這將是中國芯片彎道超車的機會(hui) 。

在這些先進芯片技術方麵，中國已取得一些優(you) 勢，2022年底至今，中國已先後籌建了全球第一條量子芯片生產(chan) 線、光子芯片生產(chan) 線，凸顯出中國在先進芯片技術方麵的突破，這些先進芯片技術在加速推進量產(chan) ，一旦實現商用就將具有趕超歐美的實力。

總的來說美國阻礙中國芯片產(chan) 業(ye) 發展的計劃已不可能，反而是激發了中國芯片行業(ye) 的潛力，短短數年時間在諸多芯片技術方麵都取得突破，中國芯片或許在不久的將來打破美國在芯片技術方麵的領先優(you) 勢，正是有見及此，美國才會(hui) 在諸多技術方麵施加限製，反過來恰恰說明了中國芯片確實取得了巨大的進展，讓它深感威脅。