中國繼“量子芯片”量產(chan) 後，在氮化镓芯片技術上又一個(ge) 重大突破。目前，中國氮化镓芯片製造技術已全麵打破美日壟斷，躋身全球第三。2020年9月，全球最大氮化镓芯片工廠在蘇州建成投產(chan) 。2022年2月，中科46 所成功製備出我國首顆 6 英寸氧化镓芯片，達到國際最高水平。目前，國內(nei) 的快速充電器普遍用上了氮化镓芯片。

氮化镓激光器芯片主要幹什麽(me) 用?

氮化镓被稱作第三代半導體(ti) ，是當今世界上最具潛力的半導體(ti) 材料之一，並被預言將會(hui) 在不久的未來改變世界。

★氮化镓半導體(ti) ，自1990年開始常用於(yu) 發光二極管。

★2005年12月，德國半導體(ti) 公司Infineon生產(chan) 出世界上第一顆氮化镓芯片。

★2008年8月，美國科銳公司（Cree）生產(chan) 出世界上第一個(ge) 商業(ye) 化的氮化镓芯片。

★2014年，日本和美國教授因發明藍光LED而獲得當年的諾貝爾物理獎。

★2017年11月，英諾賽科(珠海)科技有限公司自主研發的中國首條8英寸矽基氮化镓生產(chan) 線在珠海投產(chan) 。

★2023年3月，中國首條氮化镓激光器芯片生產(chan) 線在廣西投產(chan) 。

該氮化镓激光器目前覆蓋近紫外（375 nm）至綠光（532 nm）的波長範圍，相比於(yu) 傳(chuan) 統半導體(ti) 激光器，氮化镓激光器具有光譜範圍廣、熱調製頻率高、穩定性好等優(you) 勢，在照明、顯示、金屬加工、國防、航天航空、量子通信等領域有廣泛用途。

該技術來自北京大學研發團隊20多年的刻苦攻關(guan) ，在數十項國家級和省部級科研項目的大力支持下，攻克了氮化镓半導體(ti) 激光器相關(guan) 的主要科學和技術問題，建立了芯片製備技術中的8大核心工藝，打破國外企業(ye) 長期的技術壟斷，有力實現“彎道超車”。

中國第三代半導體(ti) 氮化镓芯片打破美日壟斷

2021年，發展第三代半導體(ti) 寫(xie) 入國家“十四五”規劃、列為(wei) 國家戰略，作為(wei) 第三代半導體(ti) 中最有代表性的氮化镓材料，被廣泛地應用於(yu) 激光顯示、電動汽車、5G通訊、航空航天、雷達等重要領域。

目前，全球氮化镓芯片生產(chan) 主要集中在中國、美國、日本、韓國、德國等國。其中，中國的氮化镓芯片生產(chan) 企業(ye) 快速崛起，在全球市場上份量越來越重。

從(cong) 全球專(zhuan) 利技術申請情況看，目前，全球氮化镓半導體(ti) 芯片專(zhuan) 利申請的第一大技術來源國是日本，占比高達33.22%。其次是中國，占比為(wei) 28.10%。美國專(zhuan) 利申請量排名第三，占比為(wei) 20.63%。

從(cong) 專(zhuan) 利申請趨勢上看，中國在2013—2021年期間一直處於(yu) 氮化镓專(zhuan) 利申請數量的領先地位，且優(you) 勢較為(wei) 明顯。

從(cong) 全球領先的氮化镓芯片生產(chan) 廠家看，第一名：日本住友，市場占有率超過40%；第二名：美國Cree，市場占有率15%；第三名：德國英飛淩，市場占有率10%；第四名：韓國LG，市場占有率6%；第五名：三星，市場占有率為(wei) 4%。中國領先的有：華潤微、三安光電、士蘭(lan) 微和聞泰科技等。

未來氮化镓芯片會(hui) 不會(hui) 取代單晶矽芯片?

氮化镓芯片和單晶矽芯片都有各自的優(you) 勢和應用場景。

單晶矽芯片是目前最成熟、最廣泛應用的芯片之一，具有低功耗、高穩定性和低成本等優(you) 勢。

氮化镓芯片則因其高頻率、高效率和高功率密度等優(you) 點而備受關(guan) 注，尤其在快速充電、射頻功率放大、太陽能電池板等領域有著廣泛的應用前景。

因此，氮化镓芯片和單晶矽芯片都有各自的優(you) 勢和應用場景，並不會(hui) 互相取代。在未來的發展中，兩(liang) 者有望相互補充，共同推動半導體(ti) 芯片技術的發展。