中科院長春光機所大功率激光研究組開發出了利用4個(ge) 高功率垂直腔麵發射半導體(ti) 激光器（vcsel）單管串接形成的百瓦級980nm波段高功率準列陣模塊。該模塊采用全自主化設計的芯片結構及模塊結構，其尺寸僅(jin) 有2.2mmx2.2mm，輸出功率高達210w，這是單管vcsel模塊迄今為(wei) 止所報道的最高功率指標。該突破使得微小型高功率vc-sel模塊有望在激光引信、激光測距及激光麵陣雷達係統中實現實用化。該成果已正式發表，並得到了國際知名光電類期刊《semicon-ductortoday》的關(guan) 注。

        針對高靈敏度激光引信、激光測距等軍(jun) 事應用需求，vcsel模塊驅動源采用高重複頻率、超窄脈衝(chong) 電流源，激光器工作時重複頻率高達10khz，脈寬僅(jin) 有30ns。微型化高功率vc-sel模塊采用具有自主知識產(chan) 權的串接結構，突破了單管及列陣vcsel器件高功率工作所需的超高工作電流問題；通過合理布線，減小了整體(ti) 模塊的電容電感，保證器件能夠快速響應。

        vcsel具有圓形對稱輸出光斑、不存在cod等獨特優(you) 勢，在高功率脈衝(chong) 激光應用領域具有廣闊應用前景。中科院長春光機所大功率半導體(ti) 激光組在高功率vcsel器件研製上具有10餘(yu) 年研究基礎，並在2012年成功實現了vcsel單管92w的國際最高器件指標，目前又成功開發出百瓦級vcsel單管模塊。該課題組正與(yu) 多家航天類及國防類單位合作開展下一步的實用化研究，以及推動國內(nei) 激光引信、測距及激光麵陣雷達等領域的發展。