在激光打標機快速發展的同時，激光放大器也在同步的快速發展：偏振依賴問題曾是一個(ge) 難題，近來由於(yu) 采用了張應變量子阱結構（或采用張應變與(yu) 層應變結構組成的應變補償(chang) 量子阱結構），比較好地解決(jue) 了偏振依賴問題，所以半導體(ti) 激光放大器的發展已顯示出優(you) 勢。特別是在1330nm波長上，由於(yu) 目前光纖放大器還難以解決(jue) 泵浦源等問題，因此 這個(ge) 波段上的半導體(ti) 激光放大器有望發揮大的效力。

    此外，全光纖激光放大器的研製及其出色應用是近年來光子技術領域又一件引起廣泛關(guan) 注的大事。目前主要在1550nm波段、以摻鉺光纖激光放大器(EDFA)為(wei) 代表的器件研製獲得成功，並在光纖通信係統中獲得出色的應用，以致使光通信領域發生重大變革。提高EDFA的性能(如提高連級EDFA的信噪比、實現EDFA的增益平坦化等)、擴大EDFA的應用(如將其用於(yu) 各種模式的通信係統)等，仍在深化研究之中。在新的波段，特別是在1330nm波段，實現光纖放大也是近年來被廣泛研究的課題。使用氟化物光纖完成的1330nm波段的光纖放大器也引人關(guan) 注。