為(wei) 加快推進半導體(ti) 照明（LED)技術進步和產(chan) 業(ye) 發展，近日，科技部發布了《半導體(ti) 照明科技發展“十二五”專(zhuan) 項規劃（征求意見稿）》（以下簡稱《規劃》），提出到2015年，半導體(ti) 照明產(chan) 業(ye) 規模將達到5000億(yi) 元，並提出要重點培育20~30家掌握核心技術、擁有較多自主知識產(chan) 權、自主品牌的龍頭企業(ye) ，建成50個(ge) “十城萬(wan) 盞”試點示範城市。

　　半導體(ti) 照明產(chan) 業(ye) 快速發展

　　近年來，半導體(ti) 照明技術快速發展，正向更高光效、更優(you) 良的光品質、更低成本、更可靠、更多功能和更廣泛應用的方向發展。目前，國際上大功率白光LED產(chan) 業(ye) 化的光效水平已經達到130lm/W，實驗室光效已達231lm/W；小功率白光LED實驗室光效已達249lm/W。雖然半導體(ti) 照明的技術創新和應用創新速度遠遠超過預期，但與(yu) 400Im/W的理論光效相比，仍有巨大的發展空間。半導體(ti) 照明在技術快速發展的同時不斷催生出新的應用，競爭(zheng) 焦點主要集中在CaN基LED外延材料與(yu) 芯片、高效高亮度大功率LED器件、LED功能性照明產(chan) 品、智能化照明係統及解決(jue) 方案，創新照明應用及MOCVD（金屬有機物化學氣相沉積設備）等重大裝備開發等方麵。

　　目前，全球產(chan) 業(ye) 呈現出美、日、歐三足鼎立，韓國、中國大陸與(yu) 台灣地區奮起直追的競爭(zheng) 格局。半導體(ti) 照明產(chan) 業(ye) 已成為(wei) 國際大企業(ye) 戰略轉移的方向，產(chan) 業(ye) 整合速度加快，商業(ye) 模式不斷創新。在國家研發投入的持續支持和市場需求的拉動下，我國半導體(ti) 照明技術創新能力也得到了迅速提升，產(chan) 業(ye) 鏈上遊技術創新與(yu) 國際水平差距逐步縮小，下遊照明應用有望通過係統集成技術創新實現跨越式發展。部分產(chan) 業(ye) 化技術接近國際先進水平，功率型白光LED封裝後光效超過110Im/W，接近國際先進水平。指示、顯示和中大尺寸背光源產(chan) 業(ye) 初具規模，產(chan) 業(ye) 鏈日趨完整，功能性照明節能效果已經顯現。標準製定及檢測能力有了長足進步，目前我國已製定並公布了22項國家標準和行業(ye) 標準。

　　盡管半導體(ti) 照明應用市場快速發展，但仍有很多技術問題亟待解決(jue) ，迫切需要開展針對不同應用領域的高可靠、低成本的產(chan) 業(ye) 化關(guan) 鍵技術研發，搶占下一代核心技術製高點。隨著城鎮化進程加快，對照明產(chan) 品的消費將進一步增加，節能減排的壓力日益增大，因此也迫切需要應用新的半導體(ti) 照明技術和產(chan) 品。

　　2015年產(chan) 業(ye) 規模達到5000億(yi) 元

　　《規劃》提出，到2015年，半導體(ti) 照明行業(ye) 要實現從(cong) 基礎研究、前沿技術、應用技術到示範應用全創新鏈的重點技術突破，關(guan) 鍵生產(chan) 設備、重要原材料實現國產(chan) 化；重點開發新型健康環保的半導體(ti) 照明標準化、規格化產(chan) 品，實現大規模的示範應用；建立具有國際先進水平的公共研發、檢測和服務平台；完善科技創新和產(chan) 業(ye) 發展的政策與(yu) 服務環境，建成一批試點示範城市和特色產(chan) 業(ye) 化基地，培育擁有知名品牌的龍頭企業(ye) ，形成具有國際競爭(zheng) 力的半導體(ti) 照明產(chan) 業(ye) 。

　　具體(ti) 說來，技術目標上，產(chan) 業(ye) 化白光LED器件的光效要達到國際同期先進水平（150~200lm/W)，LED光源／燈具光效達到130lm/w，有機發光二極管（OLED）照明燈具光效達到80lm/W，矽基半導體(ti) 照明、創新應用、智能化照明係統及解決(jue) 方案開發等達到世界領先水平，形成核心專(zhuan) 利300項；產(chan) 品目標上，80%以上的芯片實現國產(chan) 化，大型MOCVD裝備、關(guan) 鍵原材料實現國產(chan) 化，形成新型節能、環保及可持續發展的標準化、規格化、係統化應用產(chan) 品，成本降低至2011年的1/5；產(chan) 業(ye) 目標上，產(chan) 業(ye) 規模達到5000億(yi) 元，培育20~30家掌握核心技術、擁有較多自主知識產(chan) 權、自主品牌的龍頭企業(ye) ，扶持40~50家創新型高技術企業(ye) ，建成50個(ge) “十城萬(wan) 盞”試點示範城市和20個(ge) 創新能力強、特色鮮明的產(chan) 業(ye) 化基地，完善產(chan) 業(ye) 鏈條，優(you) 化產(chan) 業(ye) 結構，提高市場占有率，顯著提升半導體(ti) 照明產(chan) 業(ye) 的國際競爭(zheng) 力；此外，還要培育和引進一批學科帶頭人、創新團隊和科技創業(ye) 人才，建立國際化、開放性的國家公共技術研發平台，完善我國半導體(ti) 照明標準、檢測和認證體(ti) 係，發揮產(chan) 業(ye) 技術創新戰略聯盟的作用，推動產(chan) 學研用深度結合，切實保障我國半導體(ti) 照明產(chan) 業(ye) 的可持續發展。

    加強技術研究優(you) 化產(chan) 業(ye) 環境

　　針對以上目標，《規劃》提出了具體(ti) 措施和重點任務。一是加強基礎研究，解決(jue) 寬禁帶襯底上高效率LED芯片的若幹基礎科學問題，研究高密度載流子注入條件下的束縛激子及其複合機製；探索通信調製功能和LED照明器件相互影響機理。二是加強前沿技術研究。突破白光LED專(zhuan) 利壁壘，光效達到國際同期先進水平；研究大尺寸si襯底等白光LED製備技術，加強單芯片白光、紫外發光二極管（UV-LED）、OLED等新的白光照明技術路線研究；突破高光效、高可靠、低成本的核心器件產(chan) 業(ye) 化技術；提升LED器件及係統可靠性；實現核心裝備和關(guan) 鍵配套原材料國產(chan) 化，提升產(chan) 業(ye) 製造水平與(yu) 盈利能力。三是強化應用技術研究。以搶占創新應用製高點為(wei) 目標，以工藝創新、係統集成和解決(jue) 方案為(wei) 重點，開發高品質、多功能創新型半導體(ti) 照明產(chan) 品及係統，實現規模化生產(chan) ；開發出具有性價(jia) 比優(you) 勢的半導體(ti) 照明產(chan) 品，替代低效照明產(chan) 品；開展辦公、商業(ye) 、工業(ye) 、農(nong) 業(ye) 、醫療和智能信息網絡等領域的主題創新應用。四是建立共性技術平台。以創新的體(ti) 製機製建立開放的、國際化的公共研發平台，加強共性關(guan) 鍵技術研發；探索以企業(ye) 為(wei) 主體(ti) ，政府、研究機構及公共機構共同參與(yu) 的技術創新投入與(yu) 人才激勵機製，促進半導體(ti) 照明前沿技術及產(chan) 業(ye) 化共性關(guan) 鍵技術的研發與(yu) 應用，支撐產(chan) 品的創新應用和產(chan) 業(ye) 的可持續發展。五是完善產(chan) 業(ye) 發展環境建設。研究測試方法及開發相關(guan) 測試設備，引導建立檢測與(yu) 質量認證體(ti) 係，參與(yu) 國際標準製定；開展知識產(chan) 權戰略研究，提升我國半導體(ti) 照明產(chan) 業(ye) 專(zhuan) 利分析和預警能力；積極探索EMC等商業(ye) 推廣模式。通過完善產(chan) 業(ye) 發展環境，促進技術研發和產(chan) 業(ye) 鏈構建，支撐示範應用，推動“十城萬(wan) 盞”試點工作順利實施。