該激光器采用厚度為560 nm且生長在鍺緩衝層/矽襯底上的鍺錫外延材料,由標準的CMOS兼容工藝製造,並單片集成在矽平台上。激光器的激射歸功於應變引起的直接帶隙外延層和微腔結構。這個研究工作克服了光子集成中CMOS工藝兼容的光源製備這一大難點,是矽光子集成的一個重要步驟。
該激光器的製備工藝如下:外延生長後,采用幹法刻蝕刻出微腔結構,然後用四氟化碳等離子體刻蝕出底部支柱,再澱積三氧化二鋁作為鈍化層。在這個過程中,微腔邊緣的應力釋放有助於提高激光器性能。
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星之球科技 來源:中國國防科技信息網(北京)2015-11-26
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該激光器采用厚度為(wei) 560 nm且生長在鍺緩衝(chong) 層/矽襯底上的鍺錫外延材料,由標準的CMOS兼容工藝製造,並單片集成在矽平台上。
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