三星砸54億美元、7納米提前建廠

三星電子決定提前興建南韓華城的18號線，提高競爭力搶單。

據韓媒報導，三星華城廠的18號線原定明年動工，如今三星決定提前至今年11月破土。18號線的建築麵積為40536平方公尺，總樓麵麵積為298114平方公尺。投資金額為6兆韓圜(54億美元)，預定2019年下半完工，生產存儲器以外的半導體產品。

華城廠為綜合晶圓廠，生產DRAM、3D NAND flash、係統半導體等。18線將裝設數十台先進晶圓代工所需的極紫外光(EUV)微影機台。三星提前施工，顯示該公司有意強化晶圓代工競爭力。三星今年把晶圓代工部門獨立出來，大舉投資，並放話搶市。

據報導，南韓三星電子副社長、擔任5月份新設立的晶圓代工事業部負責人的E.S.Jung 24日接受專訪時表示，除了大型企業之外、也將搶攻中小型客戶，目標在5年以內將晶圓代工市場份額擴增至現行的3倍、提高至25%的水準。Jung指出，“希望能成為晶圓代工市場上強大的第2把交椅”。

據韓聯社報導，三星晶圓代工共有三個廠區，S1廠在南韓器興(Giheung)、S2廠在美國德州奧斯汀、S3在南韓華城(Hwaseong)。S3預定今年底啟用，將生產7、8、10納米製程晶圓。

去年底數據顯示，全球晶圓代工龍頭是台積電、聯電排名第二、美國格羅方德(Global Foundry)名列第三、三星電子雖是小四，但是正急起直追。IHS Market數據顯示，2016年三星晶圓代工營收為45.18億美元，較2015年大增78.6%。

韓媒報導，6月三星電子將斥資10億美元投資德州奧斯汀廠，該廠房負責製造用於移動設備的係統單芯片(SoC)等。phonesArena消息顯示，奧斯汀廠是蘋果A係列處理器的重要生產基地。

三星同時公布了晶圓代工的發展路徑，當前主力為第二代10納米FinFET，今年準備進一步研發8納米，2018年進入7納米，2020年轉入4納米。據傳三星將跳級研發6納米製程，預定2019年量產。

半導體業界透露，三星提前動土，也要用最先進的設備，切入7nm以下製程，全力搶食邏輯芯片代工訂單，而且目標直指台積電大客戶蘋果的下世代A12處理器。

消息指出，三星可能挾掌握全球超過九成以上OLED麵板產能的優勢，逼迫蘋果調整代工策略，將A12部分訂單交給三星，但這部分未獲三星高層證實。三星將晶圓代工成立事業部後，曾宣示要在五年內將晶圓代工市占率擴增至現行的三倍，提高至25%的水平。

產業分析師指出，目前台積電7nm製程至少已有12個移動設備產品設計定案，還有從三星搶回來的高通訂單，在7nm戰役至少還領先三星一至二年以上。

台積電為回擊三星在7nm全數導入極紫外光（EUV）作為曝光利器，也決定在7nm強化版提供EUV解決方案，鞏固客戶。這項製程並訂2019年下半年量產，和三星進度相近。

此外，台積電在5nm製程將全數導入EUV，目前5nm生產重鎮規劃在南科，相關建廠作業已經展開，預定2020年量產。

台積電董事長張忠謀曾說過，對競爭對手英特爾與三星，一直列為雷達上的勁敵。因此，內部高度警戒，絕不讓三星有任何見縫插針的機會，尤其防止機密外泄比以前更嚴密。

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