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半導體/PCB

半導體材料 硫化鉑光電特性研究獲新突破

來源:科技日報2021-06-25 我要評論(0 )   

科技日報記者6月20日從(cong) 雲(yun) 南大學材料與(yu) 能源學院獲悉,該學院楊鵬、萬(wan) 豔芬團隊經過持續研發,解決(jue) 了類石墨烯材料大麵積均勻少層硫化鉑的合成及其結構和物理性能的一係列問...

科技日報記者6月20日從(cong) 雲(yun) 南大學材料與(yu) 能源學院獲悉,該學院楊鵬、萬(wan) 豔芬團隊經過持續研發,解決(jue) 了類石墨烯材料大麵積均勻少層硫化鉑的合成及其結構和物理性能的一係列問題,為(wei) 更豐(feng) 富的應用場景器件開發提供支持,同時給行將終結的摩爾定律注入新的希望,提供極具潛力的半導體(ti) 材料。

“微電子技術曆經半個(ge) 多世紀發展,給人類帶來了極大的便利。作為(wei) 信息產(chan) 業(ye) 基礎的半導體(ti) 材料是微電子、光電子及太陽能等工業(ye) 的基石,對我國的工業(ye) 、信息及國防事業(ye) 發展具有重要意義(yi) 。”雲(yun) 南大學副教授楊鵬介紹,石墨烯作為(wei) 典型的二維納米材料,具備化學、光、電、機械等一係列優(you) 良的特性而得到廣泛應用,但石墨烯存在零帶隙、光吸收率低等缺點,限製其更廣泛地應用。與(yu) 此同時,類石墨烯材料應運而生。作為(wei) 類石墨烯材料的典型代表,過渡金屬硫族化合物不僅(jin) 具備類似石墨烯的範德華力結合的層狀結構,還擁有優(you) 異的光、電、磁等性能,可更好地彌補石墨烯的缺點,大大拓寬了半導體(ti) 材料的實際應用範圍。

基於(yu) 貴金屬的硫化鉑作為(wei) 過渡金屬硫族化合物家族的重要成員,具有較寬且可調帶隙、“光—物質”相互作用強和穩定性好等特點,是半導體(ti) 器件的潛在候選者,給現代電子技術領域帶來了新的發展機遇。然而當今二維材料共同麵對的比如材料麵積不大、不易轉移等問題對半導體(ti) 產(chan) 業(ye) 的發展形成了一定的影響。

針對這些難題,雲(yun) 南大學材料與(yu) 能源學院、雲(yun) 南省微納材料與(yu) 技術重點實驗室楊鵬、萬(wan) 豔芬團隊通過物理氣相沉積和化學氣相沉積相結合的方式,在合適的溫度、壓強等條件下,實現製備平方厘米級大麵積少層、均勻的硫化鉑材料,並表征了相關(guan) 物理特性。

這一研究成果為(wei) 大麵積電子器件的發展提供了新的思路與(yu) 技術基礎,並為(wei) 未來拓展過渡金屬硫族化合物的應用範圍提供了重要參考。相關(guan) 研究成果發表在國際著名材料學術刊物《現代材料物理學》上。


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