第三代半導體(ti) 材料的禁帶寬度是第一代和第二代半導體(ti) 禁帶寬度的近3倍，在高溫、高壓、高功率和高頻領域將替代前兩(liang) 代半導體(ti) 材料。
氮化镓GaN已在消費電子率先突破，中高壓領域或後來居上：采用GaN-on-Si的功率器件工作電壓在1000V以下，成本在1美金左右。氮化镓GaN功率器件在低壓領域（0-900V）率先商用，替代傳(chuan) 統的矽基功率器件。更有實驗室宣布最新工作電壓可達1200V的矽基GaN外延片，如若該技術商業(ye) 化順利，1000V以上中高壓領域，矽基GaN也有可能獲得一部分市場份額。
新能源汽車為(wei) 碳化矽SiC的最重要應用領域，如主驅逆變器、DC/DC轉換器、車載充電機和充電樁等。相較於(yu) 矽基IGBT，碳化矽SiC MOSFET電動車的續航裏程更長。EPA城市路況下，碳化矽SiC MOSFET相較於(yu) 矽基IGBT，將節省77%的能量損耗。EPA高速路況下，碳化矽SiC MOSFET相較於(yu) 矽基IGBT，節省85%的能量損耗。能耗節省直觀增加車輛續航裏程，使用碳化矽SiC MOSFET的電動車比使用矽基IGBT電動車將增加5-10%的續航裏程。
目前我國廠商已布局第三代半導體(ti) 的設備、襯底、外延和器件全產(chan) 業(ye) 鏈環節，包括難度最大的襯底長晶環節，自動化程度較高的外延環節和應用於(yu) 下遊市場的器件環節。整體(ti) 來看我國第三代半導體(ti) 全產(chan) 業(ye) 鏈自主可控能力較強。
氮化镓GaN單晶生長困難問題有何良策？
氮化镓GaN何時可提升其射頻市場的滲透率？
碳化矽良率提升問題如何解決(jue) ？
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更多您關(guan) 心的第三代半導體(ti) 盡在12月9日 深圳國際會(hui) 展中心(寶安新館)“ 第三代半導體(ti) 產(chan) 業(ye) 發展高峰論壇 ”誠邀您聽會(hui) 交流
同期峰會(hui) 預告：
2021第四屆“5G&半導體(ti) 產(chan) 業(ye) 技術高峰會(hui)
時間：2021年12月8下午13:30-17:30日 地點：深圳國際會(hui) 展中心（寶安）
時間 | 議題 | 演講者 |
主持人：北京大學博導 胡國慶教授 | ||
13:00-13:20 | 參會(hui) 代表進場 | |
13:20-13:40 | 主辦方致辭 | |
13:40-14:00 | “中國芯”驅動世界精彩 | 中芯國際 |
14:00-14:20 | 趨勢而行 淺談汽車存儲(chu) 的安全之路 | 深圳市江波龍電子股份有限公司 工業(ye) 存儲(chu) 事業(ye) 部經理 |
14:20-14:40 | AI技術在半導體(ti) 行業(ye) 的應用與(yu) 發展 Application and development of AI technology in the semiconductor industry | 思謀科技商務總監•趙安 |
14:40-15:00 | 缺陷檢測方案助力集成電路工藝-SMEE缺陷檢測產(chan) 品 | 上海微電子裝備集團 周許超*自動光學檢測平台經理 |
15:00-15:20 | 研磨劃片切割廢水循環回用，零排放 | 華清環保 總經理•丁山清博士 |
15:20-15:40 | 《芯設計·芯製造·芯競爭(zheng) ——芯時代下半導體(ti) 企業(ye) 如何提升研產(chan) 銷、供應鏈協同的流程管理能力》 | 鼎捷軟件電子半導體(ti) 事業(ye) 部-副總經理 賴建安 |
15:40-16:00 | 主題自擬 | 聯想淩拓科技有限公司 |
16:00-16:20 | AOI技術在半導體(ti) 領域的應用 | 蘇州鎂伽科技有限公司 |
16:20-16:40 | AIOT多核異構HK32MCPU為(wei) 核心 打造航順無邊界生態平台級企業(ye) | 航順半導體(ti) •白海英 執行副總裁 |
觀聽請聯絡：13543266785 賈小姐
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