半導體(ti) 所擁有兩(liang) 個(ge) 國家級研究中心—國家光電子工藝中心、光電子器件國家工程研究中心；三個(ge) 國家重點實驗室—半導體(ti) 超晶格國家重點實驗室、集成光電子學國家重點聯合實驗室、表麵物理國家重點實驗室（半導體(ti) 所區）；兩(liang) 個(ge) 院級實驗室（中心）—半導體(ti) 材料科學重點實驗室、中科院半導體(ti) 照明研發中心。此外，還設有半導體(ti) 集成技術工程研究中心、光電子研究發展中心、高速電路與(yu) 神經網絡實驗室、納米光電子實驗室、光電係統實驗室、全固態光源實驗室、元器件檢測中心和半導體(ti) 能源研究發展中心。

　　截至2013年底，半導體(ti) 研究所共有有效專(zhuan) 利586項，其中發明專(zhuan) 利559項，實用新型27項，激光成像係統專(zhuan) 利12項占總專(zhuan) 利數2%，全固態激光器13項，占所有專(zhuan) 利約2%。

　　有效技術專(zhuan) 利分布圖及激光成像係統和全固態激光器係統專(zhuan) 利詳細內(nei) 容列表

　　小結

　　通常所說的有效專(zhuan) 利，是指，專(zhuan) 利申請被授權後，仍處於(yu) 有效狀態的專(zhuan) 利。要使專(zhuan) 利處於(yu) 有效狀態，首先，該專(zhuan) 利權還處在法定保護期限內(nei) ，另外，專(zhuan) 利權人需要按規定繳納了年費。

　　專(zhuan) 利申請被授權後，因為(wei) 已經超過法定保護期限或因為(wei) 專(zhuan) 利權人未及時繳納專(zhuan) 利年費而喪(sang) 失了專(zhuan) 利權之後，稱為(wei) 失效專(zhuan) 利。失效專(zhuan) 利對所設計的技術的使用不再有約束力。