長春國科精密光學技術有限公司、科技部原副部長、02專(zhuan) 項光刻機工程指揮部組長曹健林在分享專(zhuan) 項進展時表示，目前90納米檢測已經達到要求，希望未來五年內(nei) 應可順利驗收完成。

2007年正式啟動90納米節點曝光光學係統立項，2009年項目獲批，國產(chan) 光刻機物鏡係統由長春光學精密機械與(yu) 物理研究所、應用光學國家重點實驗室負責；照明係統由中國科學院上海光學精密機械研究所，兩(liang) 個(ge) 團隊所共同負責，專(zhuan) 項一期項目投入近6億(yi) 元。專(zhuan) 項目標是建立物鏡超精密光學研發團隊與(yu) 平台，並實現產(chan) 業(ye) 化滿足IC生產(chan) 線的批量生產(chan) 要求。

曹健林稱，光刻機的研發過程嚴(yan) 格按照裏程碑節點進行控製與(yu) 設計，並建立綜合設計、加工、鍍膜、裝配、測試、裝調全工藝過程的像質預測模型。2015年7月已經完成裝配，其後展開物鏡測試台的精度提升工作；2016年9月物鏡係統已經交付，整個(ge) 大矽片都已經進行分布式測量；2017年7月首次曝光成功；2017年10月曝光光學係統在整機環境下通過驗收測試。 

攻克“皇冠上明珠”朝28納米邁進

曹健林進一步說，應該說國內(nei) 半導體(ti) 行業(ye) 的關(guan) 鍵材料與(yu) 裝備才剛剛起步，希望未來光刻機自主研發能攻克難關(guan) 拿下這顆 “工業(ye) 皇冠上的明珠”。他稱，接下來項目還將繼續推進攻克28納米研發，規劃兩(liang) 年後拿出工程樣品，目前EUV的原理係統也已經“走通了”，預計明年主攻EUV 53波長機台。 

清華大學微電子研究所所長魏少軍(jun) 則也分析表示，過去十年，中國保持比國際同行更高的發展速度，而且穩步提升發展質量，這才是關(guan) 鍵。

隨著02專(zhuan) 項的支持，國內(nei) 重大裝備於(yu) 2016年國產(chan) 裝備銷售已達32億(yi) 元人民幣。 他也提個(ge) 醒，盡管不可否認中國半導體(ti) 行業(ye) 的快速發展取得矚目，但在肯定自身進步的同時，也要看見自己仍存在的差距。他舉(ju) 例，以當前集成電路每年約進口兩(liang) 千億(yi) 元來細看，其中主要以微處理器、存儲(chu) 器就約占了1500億(yi) ，這兩(liang) 個(ge) 部分也恰恰是中國目前自身還做不到的。

隨著02專(zhuan) 項的支持，有些重大裝備已經取得突破。但他指出當前麵對中國集成電路發展，應該“正確理解中國集成電路產(chan) 業(ye) 存在差距”。