據山西經濟日報報道，日前，由晉城市光機電產(chan) 業(ye) 研究院引進的銻化物半導體(ti) 項目已經進入試運行階段，預計明年將達到1萬(wan) 支芯片的產(chan) 能，將成為(wei) 全國首條第四代半導體(ti) 的生產(chan) 線。

Source：山西經濟日報截圖

據悉，銻化物激光器芯片生產(chan) 項目是晉城市光機電產(chan) 業(ye) 研究院引進中科院半導體(ti) 研究所牛智川教授團隊落地的首期項目，概算總投資8202.82萬(wan) 元。項目圍繞銻化物半導體(ti) 激光芯片核心技術，研製銻化物大功率激光芯片和單模激光芯片，將廣泛應用於(yu) 激光加工、醫療切割等不同領域。

銻化物半導體(ti) 材料指的包含Al、Ga、In、As、Sb等Ⅲ-V族元素在內(nei) 的多元化合物合金材料、具有窄禁帶直接躍遷發光的獨特優(you) 勢，兼具重量輕、可直接調製、波長覆蓋範圍廣等多種優(you) 勢。越來越受到研究人員的關(guan) 注，逐漸成為(wei) 2~4 μm波段半導體(ti) 激光光源的研究熱點。

以銻化物激光器為(wei) 代表的中紅外激光器在2~4 μm的紅外窗口波段具有巨大的應用價(jia) 值，可以廣泛的應用於(yu) 醫療美容，工業(ye) 生產(chan) ，環境監管等關(guan) 係國計民生的重要領域。

牛智川教授表示，銻化物半導體(ti) 在開發下一代的小體(ti) 積、輕重量、低功耗、低成本器件，及其要求極為(wei) 苛刻的應用方麵具有不可替代的獨特優(you) 勢。國內(nei) 的銻化物超晶格探測器、量子阱激光器技術等正在步入產(chan) 業(ye) 化應用發展階段。