本報訊 （記者李春蓮）近日，矽來半導體(ti) （武漢）有限公司（以下簡稱“矽來”）第三批兼容12英寸碳化矽襯底激光剝離量產(chan) 設備順利交付客戶。本次交付標誌著矽來超大尺寸碳化矽襯底激光剝離技術已經成功通過產(chan) 業(ye) 化檢驗，將為(wei) 碳化矽產(chan) 業(ye) 發展注入新的動能。

    作為(wei) 第三代半導體(ti) 代表材料，碳化矽具有禁帶寬度大、熔點高、熱導率高等性能優(you) 勢，在高溫、高壓、高頻條件下表現優(you) 異，廣泛應用於(yu) 新能源汽車、智能電網、5G通信等領域，並有望作為(wei) 最理想的AR鏡片材料、先進封裝中介層材料等推動多個(ge) 領域的技術變革。與(yu) 6英寸襯底相比，8英寸和12英寸碳化矽襯底能夠進一步擴大單片晶圓上可用於(yu) 芯片製造的麵積，在同等生產(chan) 條件下，可以顯著提升產(chan) 量、降低成本。

    據了解，矽來核心研發團隊來自華中科技大學激光學科，技術創新能力強，且深耕激光產(chan) 業(ye) 多年。團隊自主創新激光剝離技術，對莫氏硬度高達9.5，接近於(yu) 金剛石的SiC單晶，先後推出6英寸、8英寸和12英寸碳化矽襯底激光剝離量產(chan) 設備，解決(jue) 了大尺寸、尤其是超大尺寸碳化矽襯底加工的技術難題，效率和損耗顯著優(you) 於(yu) 傳(chuan) 統線切割工藝。

    不到半年時間，矽來累計出貨數十套設備，廣泛覆蓋國內(nei) 多家頭部碳化矽企業(ye) 。得益於(yu) 模塊化的設計和產(chan) 業(ye) 協同，矽來半導體(ti) 已實現規模化量產(chan) ，設備的批量交付周期為(wei) 28天，未來有望縮短至14天。

    值得一提的是，矽來已經成功引入武漢帝爾激光科技股份有限公司等戰略投資者。未來，矽來將聚焦半導體(ti) 激光裝備核心賽道，持續優(you) 化SoC光源、自由曲麵光路等核心技術，深化與(yu) 帝爾激光的協同創新，以更先進的技術、更優(you) 質的服務賦能碳化矽襯底產(chan) 業(ye) 發展。