擴充麵向先進半導體(ti) 封裝
的無掩模曝光用光源產(chan) 品線
紫色(402 nm)半導體(ti) 激光器
實現業(ye) 界頂級(*1)光輸出功率4.5 W
(較本公司現有產(chan) 品提升1.5倍)
日本京都，2026年4月15 日 - 新唐科技（以下簡稱"本公司"）將開始量產(chan) 在直徑9.0 mm的CAN封裝（TO-9）[1]中實現業(ye) 界頂級水平（*1）光輸出功率的"高輸出功率4.5 W 紫色（402 nm）半導體(ti) 激光器[2]"。
本產(chan) 品通過本公司獨有的器件結構及散熱設計技術,實現了相比傳(chuan) 統產(chan) 品(*2)1.5倍的光功率（402 nm, 3.0 W）輸出,有助於(yu) 提升無掩模曝光裝置[3]等光學設備的生產(chan) 通量。此外,隨著該產(chan) 品的推出，進一步加強了本公司在先進半導體(ti) 封裝[4]領域針對其多元化感光材料[5]的應用能力和範圍。
(*1) 截至2026年4月15基於(yu) 我們(men) 對波長為(wei) 402 nm、TO-9 CAN封裝、在25°C殼溫（Tc）下連續波（CW）運行的半導體(ti) 激光器的研究。
(*2) 本公司原有產(chan) 品 KLC432FL01WW (402nm, 3.0W, TO-9 CAN封裝)
本公司新產(chan) 品的特點 1. 在紫色(402 nm)波段實現4.5W高輸出功率,較我公司傳(chuan) 統產(chan) 品提升1.5倍,有助於(yu) 提高無掩模曝光設備等光學裝置的生產(chan) 效率 2. 擴充麵向先進半導體(ti) 封裝的無掩模曝光用光源產(chan) 品陣容,支持多種主流感光材料 3. 擴充了水銀燈替代解決(jue) 方案[6]的產(chan) 品陣容,為(wei) 光源選型提供了新的選擇 ・產(chan) 品詳情請訪問: https://nuvoton.co.jp/semi-spt/apl/rd/?id=1100-0329
1.在紫色(402nm)波段實現了4.5 W的高輸出功率，相比本公司傳(chuan) 統產(chan) 品提升1.5倍，有助於(yu) 提高無掩模曝光裝置等光學設備的生產(chan) 效率
紫色(402 nm)半導體(ti) 激光器由於(yu) 光電轉換效率[7]相對較低、自身發熱量大,加之容易發生短波長光引起的器件劣化,因此在高輸出功率區域難以實現穩定運行。因此,本公司將2026年1月發布的新產(chan) 品"高輸出1.0W 紫外(379 nm)半導體(ti) 激光器[8]"中采用的"提高光電轉換效率的器件結構"和"高效散熱的高散熱封裝技術",也應用到了紫光(402 nm)波段。特別是,通過采用抑製激光端麵劣化因素的獨有保護膜技術,提高了高輸出功率工作時的壽命性能,同時封裝采用了高散熱材料的一體(ti) 成型結構,提升了散熱性能。因此,我們(men) 成功開發了與(yu) 本公司傳(chuan) 統產(chan) 品相比光輸出提升1.5倍、實現"高輸出功率（3.0 W）"與(yu) "可靠性"兼備的"高功率4.5W 紫色(402 nm)半導體(ti) 激光器"。該產(chan) 品將為(wei) 要求高品質的產(chan) 業(ye) 用途光學裝置的生產(chan) 通量提升做出貢獻。
圖1:" 提高光電轉換效率的器件結構"與(yu) "高效散熱的高散熱封裝技術"
2.擴充麵向先進半導體(ti) 封裝的無掩模曝光光源產(chan) 品線，支持多種主流光刻膠材料
本產(chan) 品在以AI(人工智能)等需求擴大為(wei) 背景、市場快速增長的先進半導體(ti) 封裝領域的無掩模曝光技術中,將發揮巨大作用。在先進半導體(ti) 封裝的電路形成過程中,基於(yu) 設計數據直接繪製電路的無掩模曝光技術,除了能夠降低成本和縮短開發周期外,還可以根據基板的翹曲和變形進行高精度的繪製校正,因此近年來備受關(guan) 注。在該無掩模曝光技術中,作為(wei) 主要光源之一的半導體(ti) 激光器,為(wei) 了對應主要的感光材料,除了需要對應接近汞燈發光譜線i線(365 nm)和h線(405 nm)的波長外,還要求實現高輸出功率化以提升設備的生產(chan) 通量。此次,本公司在2026年1月發布的支持i線的"高功率1.0 W 紫外(379 nm)半導體(ti) 激光器"新產(chan) 品基礎上,增加了支持h線的本產(chan) 品,作為(wei) 麵向先進半導體(ti) 封裝的無掩模曝光用光源。由此,本公司能夠全麵提供支持多種主要感光材料、且有助於(yu) 提升設備生產(chan) 通量的激光光源。
表1:麵向先進半導體(ti) 封裝的無掩模曝光中的主要感光材料與(yu) 本公司提案產(chan) 品
3.擴充汞燈替代解決(jue) 方案產(chan) 品陣容，為(wei) 光源選型提供全新選擇
本產(chan) 品是我公司"半導體(ti) 激光器替代汞燈"產(chan) 品陣容的新成員。汞燈的特征譜線h線(405nm)廣泛應用於(yu) 光固化、3D打印、傳(chuan) 感、生物醫療、標記等領域,本產(chan) 品作為(wei) 這些應用的替代光源,為(wei) 客戶提供了新的選擇。此外,通過發揮本產(chan) 品的高功率輸出性能這一特點,還將有助於(yu) 實現以往難以達成的工藝高效化,以及創造新的光應用。
圖2:本公司推出的"半導體(ti) 激光器替代汞燈"
本產(chan) 品預定在日本橫濱舉(ju) 辦的"OPIE'26"的本公司展台上展出。
【應用領域】 ・無掩模曝光 ・樹脂固化 ・傳(chuan) 感 ・打標 ・3D打印 ・生物醫療 ・汞燈的替代光源等 【產(chan) 品名稱】 KLC434FL01WW 【規 格】 新產(chan) 品(紫色半導體(ti) 激光器) 型號 KLC434FL01WW 波長 402nm 光輸出功率 4.5 W 封裝類型 TO-9 CAN 【量產(chan) 開始時間】 2026年5月（暫定）
【定義(yi) 】
[1] TO-9 CAN： 直徑為(wei) 9.0mm的CAN型封裝。 [2] 紫色半導體(ti) 激光器： 我們(men) 的定義(yi) 是指發射峰值波長約為(wei) 402nm或更短的激光半導體(ti) 激光器。 [3] 無掩模曝光： 一種基於(yu) 設計數據置接在基板上曝光光敏材料（光刻膠），無需使用光掩模而形成精細圖案的技術。當使用激光光源時，也被稱為(wei) 激光置接成像（Laser Direct Imaging，LDI）。 [4] 先進半導體(ti) 封裝： 一種實現技術，通過將多個(ge) 半導體(ti) 芯片高密度集成以優(you) 化性能和功耗效率。 [5] 感光材料： 在曝光工序中使用的、通過光照射而改變性質的材料的總稱。主要指塗布在基板上的光刻膠(抗蝕劑),通過曝光、顯影工序形成微細圖案。根據光源波長優(you) 化靈敏度的材料被采用 [6] 汞燈替代解決(jue) 方案： 新唐科技（Nuvoton Technology）推出的半導體(ti) 激光器係列，旨在替代汞燈的發射線：i線（365 nm）、h線（405 nm）和g線（436 nm）。我們(men) 建議結合使用紫外半導體(ti) 激光器（379 nm）、紫色半導體(ti) 激光器（402 nm）和靛藍色半導體(ti) 激光器（420 nm）。 [7] 光電功率轉換效率（Wall-Plug Efficiency，WPE）： 一個(ge) 表示將電能輸入轉換為(wei) 光輸出效率的指標。它通常用於(yu) 表示半導體(ti) 激光器的發光效率。 [8] 紫外半導體(ti) 激光器： 我們(men) 的定義(yi) 是指發射峰值波長約為(wei) 380nm或更短的激光半導體(ti) 激光器。
轉載請注明出處。
相關文章
熱門資訊
精彩導讀
關注我們
