影響高速半導體(ti) 激光器調製帶寬的因素很多，如電學寄生參數、弛豫振蕩頻率、空間燒孔和光譜燒孔、載流子輸運特性及增益飽和現象、腔長及工作溫度等。 

   1、電學寄生參數

     電學寄生參數主要包括寄生電容、串聯電阻和引線電感等，它對調製帶寬的限製起著根本的作用。寄生電容的存在限製了注入電流進入有源區，從(cong) 而導致了高頻下微分效率的降低。激光器在高頻工作時，寄生電容是限製調製帶寬的主要因素，它嚴(yan) 重影響器件的響應速度。

    2、弛豫振蕩頻率

    弛豫振蕩的角頻率和阻尼速率隨工作電流的增加而增大。當調製頻率接近時，弛豫振蕩的影響明顯，強度調製狀態就會(hui) 發生畸變，這就決(jue) 定了模擬調製的上限頻率，從(cong) 而限製了調製帶寬和調製速率。

    3、非線性因素

    非線性增益飽和、由載流子擴散引起的空間燒孔和光譜燒孔等非線性因素是限製半導體(ti) 激光器高頻響應特性的又一主要因素，它可使諧振衰減得更厲害。

    4、腔長與(yu) 工作溫度

    在設計時，必須優(you) 化激光器的腔長。減小腔長可以降低激光器的光子壽命，從(cong) 而增加它的調製帶寬。但短腔需要較高的驅動電流濃度，由於(yu) 熱效應會(hui) 限製最大調製帶寬，而且短腔還會(hui) 限製激光器的最大輸出功率，在實際中要折衷考慮。

    溫度對激光器的特性也有很明顯的影響，對調製帶寬的影響也很突出，在室溫時的調製帶寬為(wei) 16GHz，工作溫度降低到 -60℃時，其調製帶寬可達26.5GHz[9]。這主要是由於(yu) 工作溫度的降低會(hui) 增加微分增益係數，從(cong) 而增加調製帶寬。