半導體(ti) 物理學的迅速發展及隨之而來的晶體(ti) 管的發明，使科學家們(men) 早在50年代就設想發明半導體(ti) 激光器，60年代早期，很多小組競相進行這方麵的研究。在理論分析方麵，以莫斯科列別捷夫物理研究所的尼古拉·巴索夫的工作最為(wei) 傑出。
       在1962年7月召開的固體(ti) 器件研究國際會(hui) 議上，美國麻省理工學院林肯實驗室的兩(liang) 名學者克耶斯（Keyes）和奎斯特（Quist）報告了砷化镓材料的光發射現象，這引起通用電氣研究實驗室工程師哈爾（Hall）的極大興(xing) 趣，在會(hui) 後回家的火車上他寫(xie) 下了有關(guan) 數據。回到家後，哈爾立即製定了研製半導體(ti) 激光器的計劃，並與(yu) 其他研究人員一道，經數周奮鬥，他們(men) 的計劃獲得成功。
       像晶體(ti) 二極管一樣，半導體(ti) 激光器也以材料的p-n 結特性為(wei) 基礎，且外觀亦與(yu) 前者類似，因此，半導體(ti) 激光器常被稱為(wei) 二極管激光器或激光二極管。
       早期的激光二極管有很多實際限製，例如，隻能在77K 低溫下以微秒脈衝(chong) 工作，過了8年多時間，才由貝爾實驗室和列寧格勒（現在的聖彼得堡）約飛（Ioffe）物理研究所製造出能在室溫下工作的連續器件。而足夠可靠的半導體(ti) 激光器則直到70年代中期才出現。
       半導體(ti) 激光器體(ti) 積非常小，最小的隻有米粒那樣大。工作波長依賴於(yu) 激光材料，一般為(wei) 0.6～1.55微米，由於(yu) 多種應用的需要，更短波長的器件在發展中。據報導，以Ⅱ～Ⅳ價(jia) 元素的化合物，如ZnSe 為(wei) 工作物質的激光器，低溫下已得到0.46微米的輸出，而波長0.50～0.51微米的室溫連續器件輸出功率已達10毫瓦以上。但迄今尚未實現商品化。
       光纖通信是半導體(ti) 激光可預見的最重要的應用領域，一方麵是世界範圍的遠距離海底光纖通信，另一方麵則是各種地區網。後者包括高速計算機網、航空電子係統、衛生通訊網、高清晰度閉路電視網等。但就目前而言，激光唱機是這類器件的最大市場。其他應用包括高速打印、自由空間光通信、固體(ti) 激光泵浦源、激光指示，及各種醫療應用等。