大功率半導體(ti) 激光器（功率型激光器），主要用於(yu) 泵浦源、激光加工係統、印刷行業(ye) 、生物醫療等領域。

　　半導體(ti) 激光器主要參數：

　　波長nm：激光器工作波長，例如405nm、532nm、635nm、650nm、670nm、690nm、780nm、810nm、860nm、980nm。

　　閾值電流Ith：激光二極管開始產(chan) 生激光振蕩的電流，對小功率激光器而言其值約在數十毫安。

　　工作電流Iop：激光二極管達到額定輸出功率時的驅動電流，此值對於(yu) 設計調試激光驅動電路較重要。

　　垂直發散角θ⊥：激光二極管的發光帶在與(yu) PN結垂直方向張開的角度，一般在15°~40°左右。

　　水平發散角θ∥：激光二極管的發光帶在與(yu) PN結平行方向張開的角度，一般在6°~ 10°左右。

　　監控電流Im ：激光二極管在額定輸出功率時在PIN管上流過的電流。

　　半導體(ti) 激光器主要向兩(liang) 個(ge) 方向發展：一類是以傳(chuan) 遞信息為(wei) 主的信息型激光器；另一類是以提高光功率為(wei) 主的功率型激光器。

　　在泵浦固體(ti) 激光器等應用的推動下，高功率半導體(ti) 激光器取得了突破性進展，其標誌是半導體(ti) 激光器的輸出功率顯著增加，國外千瓦級的高功率半導體(ti) 激光器已經商品化，國內(nei) 樣品器件輸出已達到600W。未來，半導體(ti) 激光器的發展趨勢主要在高速寬激光器、大功率激光器、短波長激光器、中紅外激光器等方麵。