VCSEL的優(you) 勢

　　VCSEL技術提供的諸多優(you) 勢可以歸納為(wei) 以下幾點：

　　1.波長穩定性：在一個(ge) VCSEL激射波長非常穩定，因為(wei) 它是由短期（1--1.5波長厚）法布裏 - 珀羅腔固定。邊緣發射器相反，VCSEL的隻能運行在一個(ge) 單一的縱向模式。

　　2.波長均勻性和譜寬：生長技術改善了不到一個(ge) 腔波長為(wei) 2nm的標準偏差，這樣的VCSEL 3“晶圓生產(chan) 。這允許製造的VCSEL 2 - D數組數組的元素（<1nm的全寬半高譜寬）之間的小波長變化。相比之下，邊發射欄棧遭受顯著波長的變化，從(cong) 酒吧吧，因為(wei) 沒有內(nei) 在機製，以穩定的波長，在很寬的譜寬（3--5nm的FWHM），。

　　3.波長的溫度靈敏度：在VCSEL的發射波長不敏感的溫度變化比邊緣發射器？5倍。原因是在VCSEL的激光波長是由單縱模腔的光學厚度和定義(yi) ，這種光學厚度與(yu) 溫度的關(guan) 係是最小的（腔的折射率和物理厚度有一個(ge) 微弱的依賴溫度）。另一方麵，在邊緣發射器的激光波長被定義(yi) 為(wei) 峰值增益波長，其中有一個(ge) 對溫度的依賴性更強。因此，高功率陣列（加熱和溫度梯度，可以顯著）的譜線寬度是VCSEL陣列窄於(yu) 邊緣發射陣列（酒吧堆棧）。此外，超過20℃的溫度變化，在VCSEL的發射波長會(hui) 有所不同（7nm邊緣發射器相比）小於(yu) #p#分頁標題#e#1.4nm。

        4.高溫作業(ye) （泵的chillerless操作）：由於(yu) VCSEL的可以可靠地工作在溫度高達80℃，就可以操作無需冷藏。因此，冷卻係統就變得非常小，堅固耐用，這種方法移植。

　　5. 單位麵積高功率：邊緣發射器提供最多約500W/cm2，而VCSEL的提供1200W /平方厘米，在不久的將來可以提供2 - 4KW /平方厘米。

　　6.光束質量：垂直腔麵發射激光器發出通告束。通過適當的腔設計的VCSEL也可以在一個(ge) 單一的橫向模式（圓形高斯）發出。這種簡支梁結構，大大降低了耦合/光束整形光學（邊緣發射器相比）的複雜性和成本，提高了耦合效率光纖或輸送介質。這一直是在低功耗市場的VCSEL技術的關(guan) 鍵賣點。

　　7.可靠性：由於(yu) VCSEL的不受災難性的光學損傷(shang) （COD），其可靠性比邊緣發射器高得多。典型的擬合值的VCSEL（一億(yi) 美元的設備出現故障）<10。

　　8.Manufacturabilty和產(chan) 量：可生產(chan) 的VCSEL已經為(wei) 這項技術的關(guan) 鍵賣點。由於(yu) 複雜的製造工藝和COD（災難性的光損傷(shang) ），邊緣發射器有一個(ge) 低收益率（邊緣發射980納米泵的芯片製造商相關(guan) 的可靠性問題，通常隻得到#p#分頁標題#e#2“晶圓-500芯片）。另一方麵，對VCSEL的收益率超過90％（相當於(yu) 5000大功率芯片從(cong) 2英寸晶圓）。事實上，由於(yu) 其平麵屬性，VCSEL的製造標準的IC芯片處理相同。

　　9.可擴展性：對於(yu) 高功率應用中，一個(ge) 關(guan) 鍵的VCSEL優(you) 勢是，他們(men) 可以直接加工成單片的2 - D陣列，而這不是邊緣發射器（可能隻有一維的單片陣列）的可能。此外，一個(ge) 複雜的熱效率低下的安裝計劃是需要安裝在棧邊發射極棒。

　　10.包裝和散熱：安裝的大型高功率VCSEL 2 - D的一個(ge) “結點”配置陣列很簡單（類似微處理器包裝），熱搬遷過程中非常有效的，因為(wei) 熱遍曆砷化鋁镓材料隻有幾微米。已被證明5毫米的2 - D VCSEL陣列的5mm x <0.16K / W的創紀錄的熱阻抗。

　　11.成本：隨著簡單加工和散熱技術，它比同等的邊緣發射的酒吧棧封裝的2 - D VCSEL陣列變得更加容易。建立現有矽業(ye) 的散熱技術，可用於(yu) 非常高功率陣列的散熱。這將顯著降低高功率模塊的成本。目前，激光棒的成本是DPSS激光器顯性成本。