目前在半導體(ti) 激光器件中，性能較好、應用較廣的是：具有雙異質結構的電注入式GaAs二極管半導體(ti) 激光器。

　　半導體(ti) 光電器件的工作波長與(yu) 半導體(ti) 材料的種類有關(guan) 。半導體(ti) 材料中存在著導帶和價(jia) 帶，導帶上麵可以讓電子自由運動，而價(jia) 帶下麵可以讓空穴自由運動，導帶和價(jia) 帶之間隔著一條禁帶，當電子吸收了光的能量從(cong) 價(jia) 帶跳躍到導帶中去時就把光的能量變成了電，而帶有電能的電子從(cong) 導帶跳回價(jia) 帶，又可以把電的能量變成光，這時材料禁帶的寬度就決(jue) 定了光電器件的工作波長。

　小功率半導體(ti) 激光器（信息型激光器），主要用於(yu) 信息技術領域，例如用於(yu) 光纖通信及光交換係統的分布反饋和動態單模激光器（DFB-LD）、窄線寬可調諧激光器、用於(yu) 光盤等信息處理領域的可見光波長激光器（405nm、532nm、635nm、650nm、670nm）。這些器件的特征是：單頻窄線寬、高速率、可調諧、短波長、光電單片集成化等。

　　大功率半導體(ti) 激光器（功率型激光器），主要用於(yu) 泵浦源、激光加工係統、印刷行業(ye) 、生物醫療等領域。

　　半導體(ti) 激光器主要參數：

　　波長nm：激光器工作波長，例如405nm、532nm、635nm、650nm、670nm、690nm、780nm、810nm、860nm、980nm。

　　閾值電流Ith：激光二極管開始產(chan) 生激光振蕩的電流，對小功率激光器而言其值約在數十毫安。 

工作電流Iop：激光二極管達到額定輸出功率時的驅動電流，此值對於(yu) 設計調試激光驅動電路較重要。

　　垂直發散角θ⊥：激光二極管的發光帶在與(yu) PN結垂直方向張開的角度，一般在15˚~40˚左右。 

水平發散角θ∥：激光二極管的發光帶在與(yu) PN結平行方向張開的角度，一般在6˚~ 10˚左右。

　　監控電流Im ：激光二極管在額定輸出功率時在PIN管上流過的電流。

　　半導體(ti) 激光器主要向兩(liang) 個(ge) 方向發展：一類是以傳(chuan) 遞信息為(wei) 主的信息型激光器；另一類是以提高光功率為(wei) 主的功率型激光器。在泵浦固體(ti) 激光器等應用的推動下，高功率半導體(ti) 激光器取得了突破性進展，其標誌是半導體(ti) 激光器的輸出功率顯著增加，國外千瓦級的高功率半導體(ti) 激光器已經商品化，國內(nei) 樣品器件輸出已達到600W。未來，半導體(ti) 激光器的發展趨勢主要在高速寬激光器、大功率激光器、短波長激光器、中紅外激光器等方麵。