傳(chuan) 統的金剛石砂輪高速旋轉切割，其表麵鑲嵌的凸起的鋒利的鋸齒狀高硬度金剛石顆粒對切割部位磨削，產(chan) 生壓力、磨擦力及剪切力將剝離的碎屑帶走，同時其本身也被磨損，刀片越鈍切割溫度越高即造成劃片刀過載。由於(yu) 這些機械力是直接作用在晶圓表麵上並在晶體(ti) 內(nei) 部產(chan) 生應力和熱損傷(shang) ，因此易產(chan) 生正反兩(liang) 麵的崩邊(Chipping)、微損傷(shang) 、裂痕等問題，同時造成碎屑汙染(Silicon dust)。以上問題難以通過其自身工藝的改善完全解決(jue) 。

隨著器件集成度的增加，芯片尺寸、切割道寬、有源區到邊緣的距離不斷減小。另外晶片厚度日趨減薄，晶片崩邊、翹曲變形、微粒汙染、粗糙度、損傷(shang) 層、應力破壞、易破損、產(chan) 能下降、碎片率以及刀片損耗等問題隨之而來。實踐證明磨削加工方式已近接物理極限。

激光加工為(wei) 非接觸式晶圓切割加工，激光能量通過光學聚焦後獲得高能量密度，直接將矽片溶蝕氣化，切割的矽片斷麵具有一定粗糙度的表麵和最低限度的熱蝕區。另外，選擇適合的激光波長和頻率，激光能被矽材料有效地吸收，因此其可在很窄的寬度區域進行精細微加工，達到對材料分子鍵級的斷裂破壞。

用激光對晶圓進行精密劃片切割是對易碎的單晶矽晶圓砂輪刀片機械劃片裂片的最佳替代工藝。激光可對所有第III-V主族材料包括第IV主族材料如矽(Si)和鍺(Ge)的晶圓進行快速劃片切割。矽晶圓片，切口寬度均小於(yu) 25微米，切口邊緣平直、精確，沒有裂紋、位錯、 崩裂，尤其對選擇參考解理麵的矽晶圓更是如此。采用激光劃片工藝使得成品率更高，並因為(wei) 損壞的芯片非常少而獲得更高的成品率。在半導體(ti) 性價(jia) 比的需求驅動下，芯片成本不斷降低，尺寸越來越小。切割寬度從(cong) 100微米降到30微米，采用激光劃片工藝後，劃片槽寬度進一步降低到20微米。激光劃片工藝能夠提高產(chan) 能。目前，激光劃片速度能夠達到200mm/s以上。相對於(yu) 機械式劃片工藝，激光工藝具有更多優(you) 點。這些優(you) 點包括消耗成本低、維護費用少、產(chan) 能高、晶圓麵積利用率高等。激光工藝更易於(yu) 進行自動化操作，從(cong) 而降低人力成本。

激光技術還有很大技術潛能，激光切割以其顯著的非接觸、無應力、低損傷(shang) 、靈活性、速度快等優(you) 勢著稱。半導體(ti) 晶片切割應用，激光是一條必由之路。金剛石砂輪切割已經完成其曆史使命。新一代的晶片切割和微加工勢必采用更新的工藝方法。