新浪科技訊 9月14日，英特爾研究人員表示，他們(men) 已經破解了10納米芯片製造技術難題，為(wei) 生產(chan) 能耗更低的先進芯片奠定了基礎。

　　英特爾Ivy Bridge和Haswell兩(liang) 種芯片都將采用22納米製造工藝生產(chan) ，在此之後，英特爾將轉向14納米製造工藝，並預計將在2013年晚些時候或2014年初開始用這種技術製造芯片。周三，在英特爾開發者論壇上，該公司高管透露他們(men) 還掌握了製造10納米芯片的技術。

　　英特爾技術製造部門工藝架構與(yu) 整合主管馬克·波爾(Mark Bohr)說：“14納米芯片技術現已處於(yu) 全麵的開發模式，正在為(wei) 明年底啟動全麵生產(chan) 做準備。眼下，我將自己的個(ge) 人時間都用在了10納米技術上麵，看上去我們(men) 已經找到了解決(jue) 辦法。”

       波爾稱，10納米芯片技術可能依賴於(yu) 一係列實驗性技術，可能涉及光子學、材料合成、最新三柵級晶體(ti) 管、極紫外光微影(EUV)等方麵的技術。在有關(guan) 如何生產(chan) 10納米芯片的問題上，英特爾可能會(hui) 采用沉浸式光刻(immersion lithography)技術，盡管它更希望使用EUV技術。

　　波爾暗示，使用EUV技術生產(chan) 10納米芯片存在諸多困難：“我希望采用EUV技術生產(chan) 10納米芯片，但我認為(wei) 它屆時還不成熟。”此外，EUV技術的製造成本也高於(yu) 沉浸式光刻技術。英特爾研究團隊還在積極探索生產(chan) 7納米和5納米芯片的技術，但這一目標距離現在過於(yu) 遙遠，因為(wei) 10納米芯片技術要到2015年才能達到生產(chan) 標準。

　　波爾最後表示，與(yu) AMD、ARM等競爭(zheng) 對手不同的是，英特爾旗下擁有和運營著芯片生產(chan) 工廠。他說：“工藝流程開發的確需要巨額投資，但也會(hui) 帶來巨大的經濟優(you) 勢。”