ARM總裁Warren East表示，“英特爾公司在移動IC的生產(chan) 工藝上不占優(you) 勢。”

　　“去年這個(ge) 時候英特爾陣營為(wei) 他們(men) 的製造優(you) 勢做出很多噱頭，”East說，“我們(men) 一直對此表示懷疑，因為(wei) ARM企業(ye) 係統正研發28nm製程，而英特爾才進行32nm製程的開發,我沒看到他們(men) 哪裏更領先。”

　　此外，隨著Foundries開發周期的縮短，開發速度的加快，英特爾將會(hui) 發現移動工藝技術的發展將會(hui) 超出他們(men) 的預料。

　　“我們(men) 支持所有的獨立研發，”East說道，“包括TSMC 20nm planar bulk CMOS和16nm FinFET，三星 20nm planar bulk CMOS、14nm FinFET和20nm planar bulk CMOS, 以及Global Foundries 20nm FD-SOI和14nm FinFET。”

　　它使得ARM生態係統有一個(ge) 龐大的工藝群可以選擇。“我沒有更好的方法判斷哪個(ge) 工藝比其他工藝更成功，”East說，“我們(men) 的方法與(yu) 工藝無關(guan) 。”

　　重要的是，Foundries的工藝與(yu) 英特爾的方向在14nm製程相交軌。

　　14nm將是英特爾在更小節點的移動SOC的首要目標，他們(men) 或許會(hui) 將之放到某個(ge) 首次發布的新工藝IC中。

　　當問及Foundries是否準備推出下一代更小節點移動SOC，East回複說，”這也是我們(men) 想要從(cong) Foundries那知道的信息。“

　　Global Foundries打算在2014年批量製造14nm FinFET，與(yu) 英特爾開始生產(chan) 14nm FinFET的計劃處於(yu) 同一時間。

　　事實上，GF的14nm工藝可能比英特爾的更小，Global Foundries的高級副總裁Mojy Chian 說：“因為(wei) 英特爾的術語庫與(yu) 開發界使用的術語庫不匹配。比如，在back-end metallisation方麵英特爾的22nm製程與(yu) 開發界的28nm製程，英特爾22nm製程的設計規則和間距與(yu) 代工廠的28nm製程的差異。

        意法半導體(ti) 公司的技術總監Jean-Marc Chery指出，英特爾22nm製程的柵極長度實際是26nm。

　　此外，英特爾三角形散熱片不具FinFET工藝優(you) 勢，落後於(yu) 能優(you) 化FinFET晶體(ti) 管的GF矩形散熱片。#p#分頁標題#e#

　　Chian說，移動SOC將放於(yu) 在GF 14NM FinFET節點的前麵。自2009年以來GF一直與(yu) ARM合作優(you) 化其基於(yu) ARM的SOC工藝。

　　TSMC預計於(yu) 明年底推出第一個(ge) 16nm FinFET工藝。該測試芯片將使用ARM 64位V8處理器。

　　使用ARM處理器驗證其16nm FinFET工藝將給予TSMC基於(yu) ARM的SOC客戶群極大信心。

　　當問及FinFET如何影響基於(yu) ARM的SOC時，East回答：“答案非常簡單。問題是它是否在可接受成本範圍內(nei) 產(chan) 生收益？你不能勞而不獲。它的製造成本是多少？有多大產(chan) 出呢？顯而易見，這些都影響成本。”

　　當問及ARM推進服務器市場的進展狀況時，East回複：“目前為(wei) 止，進展良好。你現在可以購買(mai) 使用了Calxeda芯片（基於(yu) ARM內(nei) 核）的波士頓貽貝服務器。我們(men) 對這款產(chan) 品非常看好。在計算機性能的穩定水平上，節能和節省空間的數據出人意料。”

　　“目前，服務器基於(yu) 專(zhuan) 為(wei) 智能手機設計的Cortex A9構架，”East補充道：“將應用A15的服務器會(hui) 更勝一籌，我們(men) 為(wei) 所發生的一切感到非常高興(xing) 。”

　　當問及上周五的大事件（即使用ARM構架處理器的Windows 8將ARM版Windows筆記本電腦和平板電腦推出入店）時，East回答說：“這不會(hui) 引起任何大的驚喜--它隻是出現了而已。”

　　在第三季度閃亮出場獲得營收增長18％和盈利增長22％的成就後，ARM期望看到第四季度也有驕人市場業(ye) 績。