據物理學家組織網9月4日報道,美國俄勒岡(gang) 州立大學（OSU）的研究人員在提高金屬-絕緣體(ti) -金屬(MIM)二極管的功能方麵取得了顯著進步,他們(men) 研製出了一種性能更加優(you) 異的金屬-絕緣體(ti) -絕緣體(ti) -金屬(MIIM)二極管。未來，人們(men) 有望使用這些MIIM二極管製備出高性能的微型電子產(chan) 品。研究發表在最新一期的《應用物理學快報》雜誌上。

     傳(chuan) 統的矽電子設備雖然成本低廉，但其運行速度目前正接近極限。而新的MIIM二極管則解決(jue) 了矽基設備麵臨(lin) 的大問題—電子通過矽的速度太慢，由MIIM二極管製成的電子設備的運行速度將顯著改進。

     新的“MIIM”二極管是一塊由兩(liang) 塊金屬中間夾著兩(liang) 塊絕緣體(ti) 組成的“三明治”，這一結構使電子不會(hui) 通過材料而是隧穿過絕緣體(ti) 並且幾乎同時出現在另一邊。對於(yu) 電子設備來說，這是一個(ge) 完全迥異的製備方法。

     最新研究證明，添加第二塊絕緣體(ti) 使電子的“步隧穿”成為(wei) 可能，在“步隧穿”這種情況下，一個(ge) 電子僅(jin) 僅(jin) 隧穿過一個(ge) 絕緣體(ti) 而非兩(liang) 個(ge) 絕緣體(ti) ，這一點使二極管的非對稱性、非線性得到精確的控製，而且，也能在更低的電壓下整流。

     俄勒岡(gang) 大學電子工程和計算機科學學院的約翰·康寧教授表示：“這一方法使我們(men) 可以通過在隧道壁內(nei) 額外製造出一種非對稱性來提高設備的性能。它賦予我們(men) 另外一種方法來處理量子力學隧穿並讓我們(men) 朝著真實的應用更近了一步。”

     該研究團隊曾在三年前首次成功製造出高性能的MIM二極管。他們(men) 表示，新的MIIM二極管有望被用來製造更複雜的微電子設備，包括性能更優(you) 異的液晶顯示屏、手機、電視機以及超高速的計算機等。而且，MIIM二極管也可以使用廉價(jia) 且環保的材料以較低的成本大規模地生產(chan) 。