半導體(ti) 寬譜光源在傳(chuan) 感、光譜學、生物醫學成像等方麵具有廣泛的應用前景，但目前所采用的發光管（leds）和超輻射二極管（sld）因其發射功率低 而有所局限，所以研發大功率的寬譜激光器具有重要意義(yi) 。
 

      最近，中國科學院半導體(ti) 研究所材料科學重點實驗室潘教青研究員在指導研究生從(cong) 事大功率激光器研究中，設計並實現了一種含隧道結構的大功率量子阱激光器寬譜光源。其初步研究結果以 ultrabroadstimulatedemissionfromquantumwelllaser為(wei) 題發表在appliedphysicsletters,vol.104,p.251101,（2014）上。該研究報道被國際雜誌 naturephotonics（2014年9月1日出版）作為(wei) 十大“亮點論文”進行了報道，稱該項研究對超短脈衝(chong) 光源和多波長調諧光源方麵的研究具有重要意義(yi) 。該研究和通常的發光二極管、激光二極管的不同點在於(yu) 其采用mocvd方法生長ingaas/gaas量子阱有源區時，增加了gaas的反向隧道結構，提高了器件的增益和特征溫度。第一次實現了ingaas/gaas量子阱的寬譜激光器，中心波長1060nm，脈衝(chong) 激射功率50mw，光譜寬度為(wei) 38nm。此項研究對寬譜激光源的大功率輸出、降低成本、促進寬譜光源技術發展具有重要意義(yi) 。