近日中國電子科技集團第二研究所（以下簡稱“中電科二所”）近日傳(chuan) 來好消息，科研團隊在SiC激光剝離設備研製方麵，取得了突破性進展。

報道指出，目前，中電科二所科研團隊已掌握激光剝離技術原理與(yu) 工藝基礎，並利用自主搭建的實驗測試平台，結合特殊光學設計、光束整形、多因素耦合剝離等核心技術，實現了小尺寸SiC（碳化矽）單晶片的激光剝離。

據介紹，SiC半導體(ti) 材料具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率、化學性能穩定等優(you) 點，對電動汽車、高壓輸變電、軌道交通、通訊基站、衛星通訊、國防軍(jun) 工等領域的發展有重要意義(yi) 。

但是，因SiC材料硬度與(yu) 金剛石相近，現有的加工工藝切割速度慢、晶體(ti) 與(yu) 切割線損耗大，成本較高，導致材料價(jia) 格高昂，限製了SiC半導體(ti) 器件的廣泛應用。

激光垂直改質剝離設備被譽為(wei) “第三代半導體(ti) 中的光刻機”，科學利用光學非線性效應，使激光穿透晶體(ti) ，在晶體(ti) 內(nei) 部發生一係列物理化學反應，最終實現晶片的剝離。這種激光剝離幾乎能避免常規的多線切割技術導致的材料損耗，從(cong) 而在等量原料的情況下提升SiC襯底產(chan) 量。此外，激光剝離技術還可應用於(yu) 器件晶圓的減薄過程，實現被剝離晶片的二次利用。

中電科二所聚焦第三代半導體(ti) 關(guan) 鍵核心技術和重大應用方向，以解決(jue) SiC襯底加工效率這一產(chan) 業(ye) 突出難題為(wei) 目標，將SiC激光剝離設備列為(wei) 重點研發裝備，借此實現激光剝離設備國產(chan) 化，力爭(zheng) 使其具備第三代半導體(ti) 核心裝備研發、產(chan) 業(ye) 化和整線裝備解決(jue) 方案的能力。

目前，這一研發項目已通過專(zhuan) 家論證，正式立項啟動，下一步將依托國家第三代半導體(ti) 技術創新中心，匯聚科研優(you) 勢力量，聚焦激光剝離技術的實用化與(yu) 工程化，積極推進工藝與(yu) 設備的協同創新，研發快速生產(chan) 化、全自動化、低能耗化的激光剝離設備。