從(cong) 台積電到阿斯麥爾（ASML），一段時間以來美國頻頻借助各種手段，將商業(ye) 問題政治化，打壓中國的半導體(ti) 行業(ye) 。但《日本經濟新聞》在10月21日的一篇評論裏指出，隨著半導體(ti) 技術的革新，以及中國科技的發展，未來半導體(ti) 技術的大趨勢，其實有利於(yu) 中國。

《日經》：半導體(ti) 科技發展趨勢，有利於(yu) 中國

原日本半導體(ti) 巨頭爾必達社長，現中國芯片製造商紫光集團的高級副總裁阪本幸雄，在文中對中國半導體(ti) 行業(ye) 的前景尤為(wei) 樂(le) 觀：“當今世界，後來者擁有更好的機會(hui) ，趕上現在的領導者。”

他還在文中援引一名中國商界人士的話說：“中國科技行業(ye) 的領袖們(men) 現在感謝特朗普，因為(wei) 他幫助他們(men) 下定決(jue) 心，自主開發技術。”

文章指出，曆史上技術範式的改變，常常能為(wei) 行業(ye) 的新參與(yu) 者創造機會(hui) 。如今，阪本幸雄也從(cong) 當今半導體(ti) 行業(ye) 的技術趨勢中，看出了這種趨勢。

晶體(ti) 管小型化遇瓶頸，3D技術崛起

長期以來，半導體(ti) 行業(ye) 都受製於(yu) “摩爾定律”，即集成電路芯片上可以容納的晶體(ti) 管數目，大約每24個(ge) 月便會(hui) 增加一倍。但實際上，大約2005年前後，芯片表麵晶體(ti) 管和電路尺寸的縮小化之路遇到了瓶頸。當時，晶體(ti) 管的尺寸已縮小至30納米左右，而這一尺寸，是由一種叫做“柵極”（gate）的中央電極來衡量的。

隨後，晶體(ti) 管的小型化之路趨向緩慢。《日經》稱，從(cong) 32納米到近期的10納米，雖然芯片製造商一直在標榜芯片製程的縮小。但從(cong) 2005年前後，這些數字不再是柵極的實際尺寸了。如今，所謂的“10納米”或“7納米”，隻是芯片製造商的一種品牌標簽。

例如，東(dong) 京大學的平本俊郎教授就向《日經》表示，去年台積電製造的7納米芯片，實際的柵極尺寸為(wei) 18納米左右。而這，已經與(yu) 過去柵極尺寸也為(wei) 32納米的32納米芯片，有了明顯的偏差。

台積電生產(chan) 的芯片官方圖

由於(yu) 晶體(ti) 管小型化的難度，以及成本都在不斷上升，因此各大芯片製造商目前已轉向一種三維技術，即利用傳(chuan) 統晶圓表麵上方的空間，將更多晶體(ti) 管裝載到芯片上。如今最先進的NAND閃存芯片，即在最底層的晶圓裸片上，堆疊了96至128層的集成電路。

隨著層數的增加和芯片的增厚，晶體(ti) 管的小型化過程在閃存領域發生了逆轉。業(ye) 內(nei) 專(zhuan) 家介紹稱，如今閃存芯片的典型晶體(ti) 管尺寸大約在22至 32納米範圍內(nei) ，比幾年前閃存芯片中使用的14納米晶體(ti) 管要大。

而這種芯片製造技術從(cong) 晶體(ti) 管小型化到三維技術的重要轉變，可能會(hui) 影響業(ye) 界對芯片製造過程中最困難的部分——光刻技術的態度。

光蝕刻法是一種工藝，在矽晶圓的光敏表麵上，通過一個(ge) 稱為(wei) 光掩膜的玻璃板將光投射到矽晶圓上，在玻璃掩膜上可以畫出電路計劃的圖像。這就像傳(chuan) 統的照片顯影過程，在透明膠片上捕捉到的圖像，通過投射光線穿過負片，對準感光紙，將其印在紙上。

隨著電路進一步小型化，這一過程需要短波光，來獲得更好的分辨率。最先進的微型化技術需要超紫外或極紫外（EUV）光譜範圍的不可見光。

從(cong) 光刻機中“解放”

《日經》稱，如今阿斯麥爾是光刻機產(chan) 業(ye) 內(nei) 的壟斷企業(ye) ，一台EUV光刻機的售價(jia) 大約在1.2億(yi) 至1.7億(yi) 美元之間。然而，芯片製造商購買(mai) 的阿斯麥爾光刻機，實際上隻能應用於(yu) 整個(ge) 芯片製造過程的極小部分，也隻能帶來適度的微型化效果。

阿斯麥爾光刻機阿斯麥爾官方圖

如今，EUV光刻機隻能用於(yu) 製造邏輯芯片，如電腦的微型處理器，智能手機的係統芯片，以及遊戲和人工智能領域的圖形處理器等。由於(yu) 由於(yu) 電路組成的複雜性，邏輯芯片尚不能完全使用三維技術。

對芯片製造商來說，隻為(wei) 製造這些芯片就使用EUV光刻機，成本和難度可能並不那麽(me) 合理。

實際上，如果一家芯片製造商要使用EUV光刻機，它還需要使用許多其他工藝，來優(you) 化EUV光刻技術，這就意味著廠商要投入大量資金，來購買(mai) 各種先進設備。而裝備越先進，供應商就越少，美國的禁令也就越有效。

但是，如今閃存芯片的製造過程已經可以跳過EUV光刻機。

並且，如果能跳過EUV光刻機的限製，那麽(me) 芯片製造商的選擇就更多了。《日經》稱，日本佳能和尼康，如今也能生產(chan) 非EUV光刻機。迄今為(wei) 止，美國並未禁止這兩(liang) 家廠商對中國芯片製造商出貨。

另一方麵，包括華為(wei) 在內(nei) ，一些中國公司也一直在努力開發自己的光刻機。紫光集團旗下的長江存儲(chu) 也在今年宣布成功研發128層QLC3DNAND閃存（型號：X2-6070），並已在多家控製器廠商SSD等終端存儲(chu) 產(chan) 品上通過驗證。

《日經》認為(wei) ，當前美國方麵似乎將限製中國的重點放在EUV光刻機上，但中國正在積累三維芯片製造技術，這最終將應用於(yu) 先進的邏輯芯片，幫助中國避免依賴基於(yu) EUV光刻機的芯片微型化。

並且，從(cong) 長遠來看中國有能力提高芯片所有相關(guan) 領域的技術，如材料、光學、化學、晶圓製造過程控製、表麵檢測和功能測試等。

不少專(zhuan) 業(ye) 人士，也看好中國在芯片製造領域的潛能。曾在中芯國際擔任首席技術官的生駒俊明表示，基於(yu) 他在中國的經驗，他認為(wei) 中國有足夠數量的有能力的科學家和工程師來開發自己的芯片製造設備和芯片設計軟件。

東(dong) 京科學大學教授若林秀樹表示，開發芯片製造設備和材料的整個(ge) 供應鏈不是一朝一夕就能完成的。但他表示，“中國有可能在10至20年內(nei) 成為(wei) 這一領域的主導國家，因為(wei) 它在所有科學和工程領域都擁有大量人才。”

對中國這樣的追趕者而言，技術趨勢也是一個(ge) 優(you) 勢。信息技術分析機構高德納公司（Gatner）研究副總裁薩繆爾·王（Samuel Wang）表示：“新技術，如新材料、3D、人工智能輔助芯片設計和基於(yu) 雲(yun) 技術的製造協作，都將為(wei) 新興(xing) 企業(ye) 創造新的機會(hui) 。”