6月24日，上交所正式受理了蘇州長光華芯光電技術股份有限公司（以下簡稱：長光華芯）科創板上市申請。

長光華芯聚焦半導體(ti) 激光行業(ye) ，始終專(zhuan) 注於(yu) 半導體(ti) 激光芯片、器件及模塊等激光 行業(ye) 核心元器件的研發、製造及銷售，緊跟下遊市場發展趨勢，不斷創新生產(chan) 工 藝，布局產(chan) 品線，已形成由半導體(ti) 激光芯片、器件、模塊及直接半導體(ti) 激光器構 成的四大類、多係列產(chan) 品矩陣，為(wei) 半導體(ti) 激光行業(ye) 的垂直產(chan) 業(ye) 鏈公司，主要產(chan) 品 包括高功率單管係列產(chan) 品、高功率巴條係列產(chan) 品、高效率 VCSEL 係列產(chan) 品及光 通信芯片係列產(chan) 品等。

目前，長光華芯產(chan) 品可廣泛應用於(yu) 光纖激光器、固體(ti) 激光器及超快 激光器等光泵浦激光器泵浦源、激光智能製造裝備、國家戰略高技術、科學研究、 醫學美容、激光雷達、3D 傳(chuan) 感、人工智能、高速光通信等領域，逐步實現了半 導體(ti) 激光芯片的國產(chan) 化及進口替代。

客戶集中度較高

2018-2020年，長光華芯實現營業(ye) 收入分別為(wei) 9243.44萬(wan) 元、13851.01萬(wan) 元、24717.86萬(wan) 元，對應的淨利潤分別為(wei) -1438.57萬(wan) 元、-12889.02萬(wan) 元、5.39萬(wan) 元。可以看出其營收呈現逐年增長的態勢，但淨利潤卻陷入虧(kui) 損狀態。

長光華芯稱，淨利潤為(wei) 負主要是由於(yu) 公司目前仍處於(yu) 快速成長階段，業(ye) 績規模相對較小，業(ye) 務利潤不足以覆蓋以研發費用為(wei) 主的期間費用所致。若公司未能進一步拓展業(ye) 績規模，或產(chan) 品下遊應用領域需求發生重大不利變化，將可能導致公司收入無法按計劃增長，無法及時扭虧(kui) 為(wei) 盈，有可能造成公司現金流緊張，對公司市場拓展、人才吸引、團隊穩定性、研發投入、戰略性投入等方麵造成不利影響。預計首次公開發行股票並上市後，公司短期內(nei) 無法進行現金分紅，將對股東(dong) 的投資收益造成一定程度的不利影響。

由於(yu) 長光華芯產(chan) 品主要應用於(yu) 國內(nei) 工業(ye) 激光器領域，下遊行業(ye) 集中度較高，並且公司產(chan) 能有限，大部分產(chan) 能被用於(yu) 滿足下遊主要客戶的訂單需求。受此影響，長光華芯來自主要客戶的收入較為(wei) 集中。2018-2020年，公司來自前五大客戶的銷售收入占營業(ye) 收入的比例分別為(wei) 86.36%、81.74%和 78.90%，主要客戶包括飛博激光、創鑫激光、銳科激光、大族激光、光惠激光等知名激光器廠商，以及客戶A2、客戶B等科研機構。

其稱，若公司因產(chan) 品和服務質量不符合主要客戶要求導致雙方合作關(guan) 係發生重大不利變化，或主要客戶未來因經營狀況惡化導致對公司的直接訂單需求大幅下滑，將可能對公司的經營業(ye) 績產(chan) 生重大不利影響。

另外，報告期各期末，長光華芯存貨賬麵價(jia) 值分別為(wei) 3,948.40萬(wan) 元、7,041.71萬(wan) 元及9,905.94萬(wan) 元，呈現逐年增加趨勢。值得注意的是，受產(chan) 業(ye) 鏈整體(ti) 價(jia) 格下降以及國內(nei) 外廠商的競爭(zheng) 策略影響，長光華芯主要產(chan) 品價(jia) 格呈下滑趨勢。

2018-2020年，長光華芯單管芯片產(chan) 品價(jia) 格分別為(wei) 42.44元/顆、31.95元/顆和18.95元/顆，光纖耦合模塊產(chan) 品價(jia) 格分別為(wei) 3,511.26元/個(ge) 、3,176.64元/個(ge) 和2,758.52元/個(ge) ，價(jia) 格呈下降趨勢。若未來產(chan) 品價(jia) 格持續下降，而其未能采取有效措施，鞏固和增強產(chan) 品的綜合競爭(zheng) 力、降低產(chan) 品生產(chan) 成本，長光華芯可能難以有效應對產(chan) 品價(jia) 格下降的風險，導致利潤率水平有所降低。

募資13.48億(yi) 元投建激光芯片等項目

招股書(shu) 顯示，長光華芯此次IPO擬募資13.48億(yi) 元，投建於(yu) “高功率激光芯片、器件、模塊產(chan) 能擴充項目”、“垂直腔麵發射半導體(ti) 激光器（VCSEL）及光通信激光芯片產(chan) 業(ye) 化項目”及“研發中心建設項目”。

長光華芯表示，高功率激光芯片、器件、模塊產(chan) 能擴充項目主要是為(wei) 了擴大高功率半導體(ti) 激光芯片係列產(chan) 品的生產(chan) ，產(chan) 能擴充能夠提高公司經營規模，是對公司現有業(ye) 務的合理延伸和拓展。

而垂直腔麵發射半導體(ti) 激光器（VCSEL）及光通信激光芯片產(chan) 業(ye) 化項目主要通過對生產(chan) 基地的建設及配套設備的購置，研發並生產(chan) 垂直腔麵發射半導體(ti) 激光芯片及光通信激光芯片係列產(chan) 品，擴大公司在消費電子、激光雷達及光通信領域的激光芯片輸出。

另外，研發中心建設項目旨在對半導體(ti) 激光芯片及高效泵浦技術、高能固體(ti) 激光泵浦源技術、光纖耦合半導體(ti) 激光器泵浦源模塊技術和大功率高可靠性半導體(ti) 激光器封裝技術等激光領域前沿技術進行研究。該項目基於(yu) 公司現有業(ye) 務及未來發展戰略規劃，對激光領域前沿技術進行深度研究，研發高功率半導體(ti) 激光芯片產(chan) 品並優(you) 化其生產(chan) 工藝，是在現有技術基礎上，順應行業(ye) 技術發展趨勢進行的前瞻性研究儲(chu) 備，項目建設與(yu) 公司主營業(ye) 務高度相關(guan) ，是公司主營業(ye) 務發展的必要措施和重要保障。

關(guan) 於(yu) 戰略規劃，長光華芯稱，公司未來將繼續專(zhuan) 注於(yu) 半導體(ti) 激光行業(ye) ，秉承“一平台、一支點、橫向擴展、縱向延伸”發展戰略。“一平台”是指以公司與(yu) 蘇州高新區政府共建的蘇州半導體(ti) 激光創新研究院為(wei) 平台，吸引全球頂尖人才，聚集內(nei) 外部創新資源，圍繞半導體(ti) 激光芯片及應用，打造可持續領先的研發能力和新方向拓展能力；“一支點”是指公司已具備高功率半導體(ti) 激光芯片的核心技術及全流程製造工藝，持續進行研發投入，保持核心技術競爭(zheng) 力，提升經營規模。

“橫向擴展”是指依托在高功率半導體(ti) 激光芯片的研發、技術及產(chan) 業(ye) 化的“支點”優(you) 勢，從(cong) 高功率半導體(ti) 激光芯片擴展至VCSEL芯片及光通信芯片，將產(chan) 品應用領域拓展至消費電子、激光雷達等；縱向延伸是指為(wei) 更好貼近客戶、滿足客戶需求及適應眾(zhong) 多激光應用，結合公司高功率半導體(ti) 激光芯片的優(you) 勢，縱向延伸至激光器件、模塊及直接半導體(ti) 激光器。結合公司在激光芯片、器件及模塊、VCSEL、光通信芯片等橫向、縱向產(chan) 業(ye) 布局形成的綜合服務能力，不斷提升公司在國內(nei) 及國際市場的競爭(zheng) 力。