單光子源是一種重要的量子光源，是量子信息技術的核心之一，在量子保密通信的量子密鑰分配中，單光子源對於(yu) 利用量子秘鑰分配協議安全傳(chuan) 遞信息至關(guan) 重要；在量子計算方麵，為(wei) 滿足全光量子中繼器等應用，需要極高純度的單光子源。但目前的單光子光源製備技術遠不能滿足各種量子技術應用的需求，特別是在可控地大規模製備高純度單光子光源的方麵，麵臨(lin) 各種困難和挑戰。

鑒於(yu) 此，深圳技術大學集成電路與(yu) 光電芯片學院院長寧存政教授團隊將激光加工的可控性大規模製作能力和二維寬禁帶半導體(ti) 材料氮化硼（hBN）的優(you) 異性質相結合，解決(jue) 了目前單光子光源存在的的幾個(ge) 關(guan) 鍵問題，實現了空間可控地大規模製作高純度、高亮度的單光子光源。

六方氮化硼(hBN)是一種新的寬帶半導體(ti) ，由於(yu) 其層狀結構、容易剝離成薄層甚至單分子層厚度、優(you) 異的材料性質和易於(yu) 同其它二維材料集成等特點，近年來受到極大關(guan) 注。特別是，人們(men) 發現在六方氮化硼中可以製備出室溫下的單光子源，並且其具有穩定性好和易於(yu) 集成的特點，使其成為(wei) 最有希望走向實際應用的單光子源。目前研究人員通常是通過對hBN高溫退火、化學腐蝕、電子束/離子束/中子輻照、應力誘導等方法產(chan) 生單光子源。雖然這些方法都可以在hBN中製備出單光子，但是都存在某些缺點，比如所產(chan) 生的單光子源性亮度或者純度不高，單光子源產(chan) 率低或者對所加工的設備和工藝要求很高等。因此，有必要探索一種簡單高效製備高質量單光子源的方法。

激光加工單光子源是通過超短強脈衝(chong) 照射產(chan) 生的缺陷作為(wei) 發光光源，這種做法具有空間可控、可大規模製作的優(you) 勢，但以前的做法由於(yu) 熱效應沒有很好解決(jue) ，效率和純度存在問題。此次研究的主要做法是通過對單脈衝(chong) 參數的優(you) 化，空間給定點隻進行單脈衝(chong) 照射，有效地避免了熱效應和低純度問題。該實驗團隊通過單脈衝(chong) 飛秒激光照射的方法，在hBN薄層上實現了單光子源的高效製作。每100個(ge) 單脈衝(chong) 飛秒激光照射位置中可以產(chan) 生43個(ge) 單光子源，是目前自上而下製作方法中產(chan) 率最高的一種，並且製作得到單光子源的純度及亮度都很高，其中衡量單光子指標的二階關(guan) 聯函數g2(0) 最小值為(wei) 0.06 ± 0.03，單光子發射強度最高為(wei) 8.69 Mcps，是目前製作得到的最亮的單光子源之一。此外，飛秒激光直寫(xie) 技術對材料的加工基於(yu) 多光子吸收等非線性過程，可以突破衍射極限誘導產(chan) 生人為(wei) 可控的高空間分辨的微納結構，不需要昂貴的微納加工設備及工藝條件，並且可以用於(yu) 大規模的生產(chan) 。

圖1 製備得到的不同尺寸缺陷結構陣列(a)及相應的光致發光圖像(b)(c).(d)為(wei) 統計得到的不同尺寸下單光子源產(chan) 率。

圖1a到c展示了四個(ge) 不同尺寸的缺陷圖案以及相應的光致發光圖像。圖1d展示了總缺陷數目中產(chan) 生單光子（g2(τ) < 0.5）缺陷的百分比，即單光子產(chan) 率。如圖 1d 所示。單光子源的產(chan) 率隨缺陷圖案尺寸的增加而增大，在 3.0 μm 大小的缺陷圖案中達到最高的 42.9%的產(chan) 率，是目前所有自上而下製作方法中最高的。隨後隨著尺寸進一步增大，單光子源產(chan) 率逐漸降低。< />>

圖2 (a) 製作出最高亮度單光子源的光子發射速率跟泵浦功率關(guan) 係。(b)一個(ge) 典型單光子源的發光峰及其二階關(guan) 聯函數(插圖)。

圖2a中黑色曲線顯示的是單光子源光子發射速率跟泵浦功率的關(guan) 係，經過擬合可以得到飽和光子發射速率為(wei) 8.69 Mcps，這是目前使用自上而下加工技術製作的單光子源中亮度最高的。圖2b顯示的是一個(ge) 製作出來單光子源典型的發光峰，發光峰波長在540nm左右。插圖中顯示的是其二階關(guan) 聯函數，其中g2(0)為(wei) 0.06±0.03，說明單光子源純度高。這是因為(wei) 我們(men) 利用的是單脈衝(chong) 飛秒激光，它避免了高重頻脈衝(chong) 激光的熱效應導致的材料損傷(shang) 。除了上述高效製作高質量單光子源的優(you) 勢外，該方法還對襯底無損傷(shang) ，並且具有大規模製作的能力，為(wei) hBN單光子源在量子集成光學芯片中的應用開辟了一條有效途徑。

相關(guan) 成果以“Large-Scale, High-Yield Laser Fabrication of Bright and Pure Single-Photon Emitters at Room Temperature in Hexagonal Boron Nitride”為(wei) 題近期發表於(yu) ACS Nano雜誌上，寧存政為(wei) 通信作者，甘霖和張聃暘為(wei) 共同第一作者。寧存政曾為(wei) 清華大學電子工程係教授，現任深圳技術大學集成電路與(yu) 光電芯片學院院長、講席教授。甘霖為(wei) 清華大學電子工程係助理研究員，張聃暘為(wei) 博士生。該工作完成單位包括深圳技術大學集成電路與(yu) 光電芯片學院和清華大學電子工程係。該研究工作得到了國家自然科學基金和北京市自然科學基金的支持。

論文鏈接：https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsnano.2c04386

來源：深圳技術大學