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半導體激光器

首個直接兼容矽晶片的鍺錫半導體激光器

來源:中國光電網2015-03-12 我要評論(0 )   

  來自尤裏希旗下皮特格林貝格研究所(PGI-9)和保羅謝勒研究所(Paul Scherrer Institute)的科學家們(men) 已經用鍺和錫製成了實驗用的

   來自尤裏希旗下“皮特格林貝格研究所”(PGI-9)和“保羅謝勒研究所”(Paul Scherrer Institute)的科學家們已經用鍺和錫製成了實驗用的附件,並且在矽晶片上進行了測試。

  保羅謝勒研究所在測定之後發現,鍺錫化合物可以同時產(chan) 生和放大激光信號,而且錫元素對這種新設備的光學性能顯得非常重要。PGI-9博士生Stephen Wirths補充道:“高含錫量決(jue) 定了它的光學性能,這是我們(men) 首次在晶格中摻入了超過10%的錫而沒有損失其光學品質”。

  目前電子係統中所使用的半導體(ti) 激光器,主要由元素周期表中的第三族或第五族元素所組成,比如砷化镓。也正因為(wei) 如此,由這些材料製成的激光器無法與(yu) 其它矽基半導體(ti) 裝置直接兼容(不僅(jin) 困難,而且費力)。此外,由於(yu) 其連接材料擁有不同的係數,裝置的使用壽命也會(hui) 有所降低。PGI-9博士Dan Buca表示:“這款激光裝置可以在有史以來的最低溫下工作(零下183攝氏度/零下297.4華氏度)”。相信這款測試係統在優(you) 化之後,還會(hui) 帶來更加優(you) 異的性能表現。

  此外,同步電路的時鍾信號可使用高達30%的能量,這樣可以在光傳(chuan) 輸過程中節省大量能量。

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