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半導體激光器
美國II-VI公司發布下一代808 nm半導體激光器
星之球激光 來源:網易2015-06-26
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在6月22-25日德國慕尼黑2015世界光電子激光展會(hui) B1館(展位403),工程材料和光電元件製造商美國II-VI公司的子公司瑞士蘇黎世II
在6月22-25日德國慕尼黑2015世界光電子激光展會B1館(展位403),工程材料和光電元件製造商美國II-VI公司的子公司——瑞士蘇黎世II-VI激光企業有限公司表示,正在推出下一代多模大功率808nm半導體激光器單發射器組合。新芯片對可靠性和效率進行優化,輸出功率10W以上,實現下一代高功率光纖耦合模塊,作為材料加工和醫療應用的泵浦源。
擴大組合的808nm光纖耦合模塊提供輸出功率15W-30W,具有相同機械尺寸和纖維結構(200μ米纖芯/ 0.22數值孔徑)。新的光纖耦合產品是已經證明大批量通用“BMU”單發射平台的擴展。這些高輸出功率/亮度BMU采用一個易於安裝的緊湊氣密封裝。二極管泵浦固態(DPSS)激光器製造商,醫療器械製造商和其他子係統的開發人員可以提升產品性能(通過替換現有的低功耗模塊),簡化產品配置(使用較少的模塊)和提高產品可靠性(通過不太複雜的光纖管理)。II-VI公司認為,基於其芯片設計技術和大批量封裝製造技術,新產品提供延長的使用壽命。同時,該波長範圍和光纖連接器類型可以定製,以滿足特定客戶的應用需求。新一代半導體激光器芯片還可以提供氮化鋁基板或C底座上的開放熱沉。
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