激光二極管(Laser Diode) 的LASER是取"Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation（基於(yu) 受激發射的光放大）"的首字母組成的縮寫(xie) 單詞，激光二極管也被稱為(wei) 半導體(ti) 激光器，通常簡稱為(wei) LD。

由於(yu) 可產(chan) 生波長及相位等性質完全一樣的光，因此相幹性高(coherent)是其最大特點。

利用注入電流產(chan) 生的光在2片鏡片之間往返放大，直至激光振蕩。簡單的說，激光二極管也可以說成是一個(ge) 通過反射鏡將光放大的發光LED。

作為(wei) 元件材料，使用AlGaAs、InGaAlP、InGaN、ZnO等化合物半導體(ti) ，由於(yu) LSI及Tr、Di等使用的Si躍遷概率（電流轉變為(wei) 光的概率）較差，因此不適用於(yu) 激光二極管。

激光二極管和LED的區別

將激光二極管和LED的區別匯總在了下表中。

由於(yu) 激光二極管的譜寬是狹窄單一的波長、相位整齊、指向性高的光，因此具備容易控製能量的特征。