中科院上海光機所高密度光存儲(chu) 實驗室魏勁鬆研究小組在一項最新研究中，首次利用硫係薄膜實現高分辨率的灰度圖形光刻。 

　　該項研究首次發現，利用激光直寫(xie) 在硫係薄膜形成表麵浮雕結構，通過精確控製激光脈衝(chong) 能量可以得到不同高度和尺寸的浮雕結構，不同高度和尺寸的浮雕結構產(chan) 生不同的反射（透射）光譜，利用該效應形成灰度光刻，並成功在Sb2Te3薄膜上刻寫(xie) 出連續調灰度圖像。 

　　Simon Pleasants博士在作重點評論時指出：“硫係薄膜作為(wei) 相變材料在光存儲(chu) 、半導體(ti) 存儲(chu) 中具有廣泛的應用，這些應用基於(yu) 硫係薄膜的非晶態和晶態所具有的不同光學特性和電學特性。現在，利用硫係薄膜的液態、氣態、晶態和非晶態四種狀態，演示了使用硫係相變薄膜作為(wei) 灰度光刻材料製備灰度圖形。” 

　　據介紹，該研究通過激光直寫(xie) 硫係相變材料形成表麵浮雕結構，為(wei) 複雜灰度圖案的製備提供了新的解決(jue) 辦法，這與(yu) 當前的曝光成像技術、電子束光刻、聚焦離子束光刻技術不同，是一種新穎簡單又低成本的製造工藝。

 　　有關(guan) 專(zhuan) 家認為(wei) ，凸起的浮雕結構展示的光學性能在高分辨率的微納圖像存儲(chu) 、微藝術品加工和灰度掩膜製備等許多領域具有潛在的應用價(jia) 值。