關(guan) 於(yu)

激光器

晶圓切割問題,

在上次的基礎上補充一些內(nei) 容,大家建議取消文章收費設置,本主覺得有道理,以後發文均不收費了。

這是一篇關(guan) 於(yu) 晶圓切割的問題,主要是我用到的GaAs晶圓,也可以應用到InP晶圓等等需要晶麵的晶圓上,供大家借鑒。

如下圖,dies從(cong) wafer上切割下來,才能進行下一步的封裝,切割線在設計晶圓的時候都有考量。

1 晶圓切割

晶圓切割的方法有許多種,常見的有砂輪切割,比如disco的設備;

激光切割

、劃刀劈裂法,也有金剛線切割等等。

這個(ge) 就是砂輪切割,一般就是切穿晶圓,刀片根據產(chan) 品選擇,有鋼刀、樹脂刀等等。

但是對於(yu)

激光

器芯片來說不能進行激光或者刀片這些直接物理作用的方法進行切割。

比如GaAs或者Inp體(ti) 係的晶圓,做側(ce) 發光激光時,需要用到芯片的前後腔麵,因此端麵必須保持光滑,不能有缺陷。切GaAs、InP材質具有解離晶麵,沿此晶麵,自動解離出光滑的晶向麵,對發光效率等影響很大。

因此常用先正麵劃開一個(ge) 豁口,然後用劈刀頂開自動劈裂。

同時要保證劈裂方向是完全沿著晶向方向劈開的,如上圖a,如果劈裂斜了就可能出現b的現象。

2 激光晶圓切割

1． 晶圓減薄

晶圓減薄至150～100um的厚度,太厚很難切開,由於(yu) 硬度問題且不一定會(hui) 沿著晶向方向。一般激光器的晶圓也需要薄一些,太厚體(ti) 電阻太大。

2． 貼到專(zhuan) 用的藍膜治具上

3． 沿著紅線劃成一個(ge) 一個(ge) 的小塊,也叫cell,采用的時候金剛石劃刀

4． 劃完之後,采用劈裂機劈開。cell就解離出來了。

5． 取出cell單元,進一步切成bar條,黃色的線就表示一根bar條,分別在紅色前後兩(liang) 端劃出一小段溝槽即可。

6． 劃完之後,采用劈裂機劈開,藍膜在上,cell在下,從(cong) 上往下劈,紅色是預先劃的溝槽,由於(yu) 力的作用,都會(hui) 先從(cong) 溝槽開始劈裂。

7． 劈成bar條之後,由於(yu) 左右兩(liang) 邊有一部分被劃傷(shang) ,是不能用作有效芯片的,因此後期這一部分會(hui) 被舍掉。因而這一段距離的芯片通常會(hui) 做一些其他方麵的設計,比如測試電極啊,bar條或者chip命名什麽(me) 的。

到這一步,有的bar條直接拿去測試了。

8． bar條分成chip

9． 方法同上,也是先劃,後劈,但是激光器側(ce) 邊不像前後出光反射麵,不需要保持晶向劈裂,因此可以從(cong) 頭劃到尾。

劈裂完成之後,進行擴膜,一顆一顆的芯片就ok了。