度亙(gen) 核芯（DoGain）在2023年1月29日美國舊金山舉(ju) 行的西部光電會(hui) 議（Photonics West 2023）上發布了在高功率9xxnm半導體(ti) 激光方麵的最新進展。開發的915nm單管激光芯片，國際上首次實現了單管器件高達55W的功率輸出！

圖1. 9xxnm半導體(ti) 激光芯片結構示意圖

圖2. 9xxnm半導體(ti) 激光器件COS結構示意圖

高功率、高效率、高亮度是激光技術和應用孜孜以求的目標，也是當前激光技術領域中比較活躍的研究領域。我們(men) 通過對基礎物理、材料科學以及器件製備工藝的深入研究，優(you) 化了芯片的內(nei) 量子效率、腔內(nei) 光學損耗以及腔麵的高負載能力，成功實現了輸出功率和電光轉換效率的顯著提高。開發的915nm單管激光芯片，在室溫和55A連續工作條件下，突破性的實現了55.5W的高輸出功率，而且具有高的電光轉換效率、小的水平發散角和高的偏振度。

圖3. 25℃，CW條件下，915nm 功率、電壓和電光轉換效率隨電流變化曲線

度亙(gen) 很榮幸將此技術及產(chan) 品推向市場，為(wei) 客戶提供高功率、高效率、高性價(jia) 比的有效解決(jue) 方案。度亙(gen) 也將持續聚焦核心光電領域，提升產(chan) 品的性能和可靠性，持續不斷的為(wei) 客戶提供更優(you) 質的產(chan) 品。