近期,中科院上海光機所高功率激光元件技術與(yu) 工程部薄膜光學研發中心與(yu) 湖南大學、上海理工大學研究人員合作,在中紅外增透膜激光損傷(shang) 性能研究方麵取得新進展。研究團隊通過優(you) 化製備工藝,在石英基底上研發出基於(yu) HfO2/SiO2材料的6層中紅外雙麵增透膜,其激光誘導損傷(shang) 閾值(LIDT)達 91.91 J/cm2。
(a)增透膜的透過率(b)增透膜的反射率(c)增透膜的LIDT測試 紅外光學元件表麵反射損耗顯著,增透膜成為(wei) 提升器件效率的關(guan) 鍵。傳(chuan) 統紅外增透膜材料存在穩定性不足、易吸水等問題,而氧化物材料因高熔點、高環境穩定性成為(wei) 研究熱點。研究采用電子束蒸發(EB)與(yu) 離子輔助沉積(EB-IAD)技術,通過對比兩(liang) 種工藝發現:離子輔助技術顯著優(you) 化膜層質量,激光損傷(shang) 閾值提升,EB-IAD 增透膜在 2.097μm 激光下的 LIDT 達 91.91 J/cm2,而EB 工藝僅(jin) 為(wei) 11.25 J/cm2。研究成果有望應用於(yu) 中紅外非線性晶體(ti) ZnGeP2以及更多除了ZnGeP2晶體(ti) 以外的中紅外激光係統,如高功率激光加工、紅外成像、光通信等領域,推動相關(guan) 產(chan) 業(ye) 的發展。
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