湖北日報訊（記者馬文俊）8月19日從(cong) 九峰山實驗室獲悉，實驗室團隊近日在磷化銦（InP）材料領域取得重要技術突破，成功開發出6英寸磷化銦（InP）基PIN結構探測器和FP結構激光器的外延生長工藝，關(guan) 鍵性能指標達到國際領先水平。這一成果也是國內(nei) 首次在大尺寸磷化銦材料製備領域實現從(cong) 核心裝備到關(guan) 鍵材料的國產(chan) 化協同應用，為(wei) 光電子器件產(chan) 業(ye) 化發展提供重要支撐。

九峰山實驗室6英寸磷化銦PIN探測器外延片

作為(wei) 光通信、量子計算等領域的核心材料，磷化銦（InP）材料的產(chan) 業(ye) 化應用長期麵臨(lin) 大尺寸製備的技術瓶頸，業(ye) 界主流停留在3英寸工藝階段，高昂的成本使其無法滿足下遊產(chan) 業(ye) 應用的爆發式增長。

九峰山實驗室依托國產(chan) MOCVD設備與(yu) InP襯底技術，突破大尺寸外延均勻性控製難題，首次開發出6英寸磷化銦（InP）基PIN結構探測器和FP結構激光器的外延生長工藝， 關(guan) 鍵性能指標達到國際領先水平，為(wei) 實現6英寸磷化銦（InP）光芯片的規模化製備打下基礎。

九峰山實驗室外延工藝團隊

在全球光電子產(chan) 業(ye) 高速發展的背景下，光通信、激光雷達、太赫茲(zi) 通信等領域對磷化銦（InP）的需求呈現爆發式增長。據Yole預測，磷化銦（InP）光電子市場規模2027年將達56億(yi) 美元，年複合增長率（CAGR）達14%。6英寸磷化銦（InP）工藝的突破，有望推動國產(chan) 光芯片成本降至3英寸工藝的60%-70%，有助於(yu) 增強國產(chan) 光芯片市場競爭(zheng) 力。

九峰山實驗室本次聯合國內(nei) 供應鏈實現全鏈路突破，對促進我國化合物半導體(ti) 產(chan) 業(ye) 鏈協同發展有著重要影響，也為(wei) 產(chan) 業(ye) 鏈自主可控奠定了基礎。例如，九峰山實驗室本次技術突破中6英寸磷化銦（InP）襯底合作方雲(yun) 南鑫耀的6英寸高品質磷化銦單晶片產(chan) 業(ye) 化關(guan) 鍵技術已實現突破，量產(chan) 在即。未來，實驗室將持續優(you) 化6英寸InP外延平台，推動下遊產(chan) 品驗證，提升產(chan) 業(ye) 鏈自主可控能力，推動我國光電子產(chan) 業(ye) 升級。