衡量半導體(ti) 激光器件質量的技術指標包括輸出功率、峰值功率、脈衝(chong) 寬度、功率穩定性、功率～電流曲線、發光效率、閾值電流、工作電流和工作壽命等。其中．轅出功率和峰值功率都是關(guan) 鍵的指標，也是進行上述各參量測試的基礎，因此功率和峰值功率測試是首要解決(jue) 的問題。

       與(yu) 其它激光輸出不同的是半導體(ti) 激光由於(yu) 衍射效應光束發射角極大(可達幾十度)。這就給測試帶來了的難度，用現有的儀(yi) 器，幾乎無法對其進行直接測試。

       根據半導體(ti) 激光器的特點．我們(men) 采用積分球原理．使被測激光通過積分球入孔進入經漫反射處理的球內(nei) 後，在球內(nei) 壁多次漫反射從(cong) 而在球表麵上形成均勻光強分布區與(yu) 入射激光成線性關(guan) 係。在積分球出孔處放置一光電型探測器測量此處的功率即可得出進入積分球的激光功率值。整套測試係統由積分球、功率采樣、電流采樣、波形采樣及數據處理幾個(ge) 單元組成，功率測量範圍可達2cw，波長範圍400—1100nm．可以對器件進行全參量測量，包擴激光平均功率及穩定性、峰值功率、脈衝(chong) 寬度、工作電流、P—I曲線、發光效率、閾值電流。整個(ge) 係統的設計關(guan) 鍵是積分球，設計時必須考慮衰減比與(yu) 腔體(ti) 尺寸、腔內(nei) 表麵塗層一必須確保塗敷物達到朗伯漫射體(ti) 的要求。還必須考慮塗層的穩定性這是影響測量重複性的關(guan) 鍵因素。

       半導體(ti) 激光參量技術的發展目標集中在研製開發低成本的中小功率計、大功率測量儀(yi) 器及高頻響應的光電接收器件。國外用於(yu) 半導體(ti) 激光測試商品化的探測器已做到在可見光區60GHz，紅外光區45GHz