日本Phoeton公司SiC半導體(ti) 用激光退火裝置。該裝置設想用於(yu) 背麵電極中采用的金屬層的歐姆（Ohmic）化。據Phoeton介紹，該公司預定在2011年2月提供首台SiC半導體(ti) 用激光退火裝置。另外，還預定在2012年開始供貨定位為(wei) “量產(chan) 機型”的裝置。

Phoeton公司擁有從(cong) 2009年就開始供貨矽半導體(ti) 用激光退火裝置的業(ye) 績。這是一種IGBT等縱型構造元件的製造工藝中所需要的、用於(yu) 使晶圓背麵實現活性化的裝置。利用通過該裝置積累的經驗，Phoeton此次開發出了SiC半導體(ti) 專(zhuan) 用裝置。

Phoeton公司表示，矽半導體(ti) 用途是對整個(ge) 晶圓進行退火，而SiC半導體(ti) 用途則要求“對晶圓的一部分進行局部退火”。而原來矽半導體(ti) 專(zhuan) 用裝置的激光照射方法無法滿足該要求，因而Phoeton對激光照射方法進行了全麵改進。

矽半導體(ti) 專(zhuan) 用裝置在圓盤狀的大工作台上沿圓周方向排列多個(ge) 矽晶圓，在高速轉動該工作台的同時照射激光。然後從(cong) 工作台的圓周側(ce) 開始#p#分頁標題#e#,以直徑約為(wei) 100μm的激光光斑（Laser Spot）為(wei) 中心進行掃描，從(cong) 而對整個(ge) 矽晶圓進行退火。而此次推出的SiC半導體(ti) 專(zhuan) 用裝置無需轉動SiC晶圓，而是采用Galvano光學掃瞄儀(yi) 來掃描激光束。據Phoeton公司介紹，采用該方法可以對晶圓的一部分進行局部激光照射。

據介紹，在采用此次裝置實現歐姆化時，可以實現10-4～10-6Ωcm2的接觸電阻值。吞吐量方麵，在150mm晶圓中采用NiSi形成歐姆電極時為(wei) 5張/小時。支持的最大晶圓尺寸為(wei) 150mm。還支持從(cong) 晶圓上裁切下來的小片基板。支持的晶圓厚度在100μm以上。