晶圓-----是指矽半導體(ti) 及電路製作所用的矽芯片,它是製造IC的基本原料。利用VLSI製程技術在矽芯片上製作成各種電路組件結構,而成為(wei) 有特定電性功能之IC產(chan) 品。
激光晶圓切割機是我公司針對晶圓切割而開發的一款具有國際領先水平的新機型,根據客戶的不同需求,可以搭載不同的激光器。
應用範圍
矽晶片、Ⅲ-Ⅴ晶片劃線、切割 ,寶石切割。
技術特點
采用國際先進技術的光纖激光器輸出激光,具有光束質量高、聚焦光斑精細、激光釋放均勻、切割不良率極低、體(ti) 積小,質量輕、使用方便等特點;且成本較 低,性價(jia) 比高。采用355nm紫外激光器(冷光源)作為(wei) 光源,熱效應區域小、切邊質量高,切割後晶粒的電參數性能優(you) 於(yu) 機械加工方式。
激光切割屬於(yu) 非接觸式切割,解決(jue) 了傳(chuan) 統機械式切割中矽片極易脆裂的問題。大大提高矽片切割的生產(chan) 效率及成品率,可完全替代現有的機械切片方式,同時配置高精度的二維工作平台CCD定位係統,實現切割軌跡的精確控製,是晶圓切割行業(ye) 的最優(you) 選擇。
WaferCut 係列機種是一款專(zhuan) 門為(wei) 滿足新型、高端組件的需求而設計的激光微細切割設備, 采用原裝進口之5W紫外激光器作為(wei) 光源。高精度運動平台搭配精密旋轉台,配置高精度CCD圖像處理係統,實現從(cong) 送料、切割自動化過程。
技術指標性能
切割幅麵 | 最大幅麵300mm x 300mm |
切割速度 | 30-600mm/s |
X/Y軸傳動精度 | +/- 3 µm |
重複精度 | +/- 1.5 µm |
旋轉精度 | ±0.001度 |
最大激光功率 | 5W |
激光波長 | 355nm |
最大切割深度 | 20µm -800µm (視材料而定) |
切割線寬 | 6µm -15µm(視材料而定) |
電力需求 | 220V/單相/50Hz/35A |
消耗功率 | 約 8KW |
外形尺寸和重量 | 1500 x 1,700 x 1,600 mm / 約 2,000 kg |
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