韓國三星電子公司3月22日宣布，將於(yu) 中國設立的NAND型閃存新工廠將使用電路線寬為(wei) 10納米級別的技術實施量產(chan) 。10納米級技術是韓國工廠即將於(yu) 今年上半年投入使用的最尖端技術，同時三星還正在強化將中國作為(wei) 重要零件產(chan) 地的體(ti) 製。新工廠計劃在陝西省西安市建設。新工廠將在年內(nei) 開工建設，在明年底投入量產(chan) 。

　　三星於(yu) 去年12月向韓國政府提出了在中國建設NAND型閃存工廠的申請，並於(yu) 今年1月獲得批準。雖然此前透露的消息是“將使用20納米級別以下的技術”，但三星認為(wei) 中國作為(wei) 蘋果“iphoness”手機等數碼產(chan) 品組裝基地的重要性日漸增強，有必要采用更尖端的技術進行高效生產(chan) 。

　　縮小電路線寬後，利用一片矽晶圓製造出的半導體(ti) 數量將隨之增加，從(cong) 而提高生產(chan) 效率。三星除了將於(yu) 今年上半年開始使用10納米級技術在韓國進行量產(chan) 之外，還計劃將該技術運用於(yu) 中國工廠，其目的是通過此舉(ju) 鞏固全球份額冠軍(jun) 的寶座。