ITO導電玻璃是在鈉鈣基或矽硼基基片玻璃的基礎上，利用磁控濺射的方法鍍上一層氧化銦錫（俗稱ITO）膜加工製作成的。液晶顯示器專(zhuan) 用ITO導電玻璃，還會(hui) 在鍍ITO層之前，鍍上一層二氧化矽阻擋層，以阻止基片玻璃上的鈉離子向盒內(nei) 液晶裏擴散。高檔液晶顯示器專(zhuan) 用ITO玻璃在濺鍍ITO層之前基片玻璃還要進行拋光處理，以得到更均勻的顯示控製。液晶顯示器專(zhuan) 用ITO玻璃基板一般屬超浮法玻璃，所有的鍍膜麵為(wei) 玻璃的浮法錫麵。因此，最終的液晶顯示器都會(hui) 沿浮法方向，規律的出現波紋不平整情況。

在濺鍍ITO層時，不同的靶材與(yu) 玻璃間，在不同的溫度和運動方式下，所得到的ITO層會(hui) 有不同的特性。一些廠家的玻璃ITO層常常表麵光潔度要低一些，更容易出現“麻點”現象；有些廠家的玻璃ITO層會(hui) 出現高蝕間隔帶，ITO層在蝕刻時，更容易出現直線放射型的缺劃或電阻偏高帶；另一些廠家的玻璃ITO層則會(hui) 出現微晶溝縫。

ITO導電層的特性：

ITO膜層的主要成份是氧化銦錫。在厚度隻有幾千埃的情況下，氧化銦透過率高，氧化錫導電能力強，液晶顯示器所用的ITO玻璃正是一種具有高透過率的導電玻璃。由於(yu) ITO具有很強的吸水性，所以會(hui) 吸收空氣中的水份和二氧化碳並產(chan) 生化學反應而變質，俗稱“黴變”，因此在存放時要防潮。

ITO層在活性正價(jia) 離子溶液中易產(chan) 生離子置換反應，形成其它導電和透過率不佳的反應物質，所以在加工過程中，盡量避免長時間放在活性正價(jia) 離子溶液中。

ITO層由很多細小的晶粒組成，晶粒在加溫過程中會(hui) 裂變變小，從(cong) 而增加更多晶界，電子突破晶界時會(hui) 損耗一定的能量，所以ITO導電玻璃的ITO層在600度以下會(hui) 隨著溫度的升高，電阻也增大。

ITO導電玻璃的分類：

ITO導電玻璃按電阻分，分為(wei) 高電阻玻璃（電阻在150~500歐姆）、普通玻璃（電阻在60~150歐姆）、低電阻玻璃（電阻小於(yu) 60歐姆）。高電阻玻璃一般用於(yu) 靜電防護、觸控屏幕製作用；普通玻璃一般用於(yu) TN類液晶顯示器和電子抗幹擾；低電阻玻璃一般用於(yu) STN液晶顯示器和透明線路板。

ITO導電玻璃按尺寸分，有14”x14”、14”x16”、20”x24”等規格；按厚度分，有2.0mm、1.1mm、0.7mm、0.55mm、0.4mm、0.3mm等規格，厚度在0.5mm以下的主要用於(yu) STN液晶顯示器產(chan) 品。

ITO導電玻璃按平整度分，分為(wei) 拋光玻璃和普通玻璃。

透明導電氧化物薄膜主要包括Ｉｎ、Ｚｎ、Ｓｂ和Ｃｄ的氧化物及其複合多元氧化物薄膜材料，具有禁帶寬、可見光譜區光透射率高和電阻率低等特性。透明導電薄膜以摻錫氧化銦（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ，ＩＴＯ）為(wei) 代表，廣泛地應用於(yu) 平板顯示、太陽能電池、特殊功能窗口塗層及其他光電器件領域。平板顯示器市場廣闊，被認為(wei) 具有比半導體(ti) 產(chan) 業(ye) 更高的增長率，特別是液晶顯示器（ＬＣＤ）具有體(ti) 積小、重量輕、能耗低、無輻射、無閃爍、抗電磁幹擾等特點，廣泛應用於(yu) 筆記本電腦、台式電腦、各類監視器、數字彩電和手機等電子產(chan) 品，以全球顯示器市場來看，ＬＣＤ產(chan) 值遠高於(yu) 其他顯示器。透明導電薄膜是簡單液晶顯示器的三大主要材料之一，隨著ＬＣＤ產(chan) 業(ye) 的發展，市場對ＩＴＯ透明導電膜的需求也隨之急劇增大。

ＩＴＯ薄膜的製備方法多樣，研究較多的製備方法為(wei) 磁控濺射法，另外還有真空蒸發法、化學氣相沉積法、噴塗法、溶膠－凝膠法等方法。其中，溶膠－凝膠法的優(you) 點是生產(chan) 設備簡單、工藝過程溫度低，易實現製備多組元且摻雜均勻的材料。

采用溶膠－凝膠法製備ＩＴＯ薄膜多以銦、錫的有機醇鹽為(wei) 前驅物。以銦、錫的無機鹽為(wei) 前驅物，采用溶膠－凝膠法製備的ＩＴＯ薄膜，比以有機醇鹽為(wei) 前驅物的溶膠－凝膠法製備成本低，該方法製備ＩＴＯ薄膜具有生產(chan) 設備簡單、成本低的優(you) 勢。本文以氯化銦和氯化錫為(wei) 前驅物，采用溶膠－凝膠法製備ＩＴＯ薄膜，探索以銦、錫的無機鹽為(wei) 前驅物製備ＩＴＯ薄膜的方法。

液晶顯示器現已成為(wei) 技術密集，資金密集型高新技術產(chan) 業(ye) ，透明導電玻璃則是LCD的三大主要材料之一。液晶顯示器之所以能顯示特定的圖形，就是利用導電玻璃上的透明導電電膜，經蝕刻製成特定形狀的電極，上下導電玻璃製成液晶盒後，在這些電極上加適當電壓信號，使具有偶極矩的液晶分子在電場作用下特定的方麵排列，僅(jin) 而顯示出與(yu) 電極波長相對應的圖形。

在氧化物導電膜中，以摻Sn的In2O3（ITO）膜的透過率最高和導電性能最好，而且容易在酸液中蝕刻出微細的圖形。其透過率已達90%以上，ITO中其透過率和阻值分別由In2O3與(yu) Sn2O3之比例來控製，通常SnO2：In2O3=1：9。

ITO是一種N型氧化物半導體(ti) -氧化銦錫，ITO薄膜即銦錫氧化物半導體(ti) 透明導電膜，通常有兩(liang) 回事個(ge) 主要的性能指針：電阻率和光透過率。

目前ITO膜層之電阻率一般在510-4左右，最好可達510-5，已接近金屬的電阻率，在實際應用時，常以方塊電阻來表征ITO的導電性能，其透過率則可達90%以上，ITO膜之透過率和阻值分別由In2O3與(yu) Sn2O3之比例控製，增加氧化錮比例則可提高ITO之透過率，通常Sn2O3：In2O3=1：9，因為(wei) 氧化錫之厚度超過200Å時，通常透明度已不夠好---雖然導電性能很好。

如用是電流平行流經ITO脫層的情形，其中d為(wei) 膜厚，I為(wei) 電流，L1為(wei) 在電流方向上膜厚層長度，L2為(wei) 在垂直於(yu) 電流方向上的膜層長主，當電流流過方形導電膜時，該層電阻R=PL1/dL2式中P為(wei) 導電膜之電阻率，對於(yu) 給定膜層，P和d可視為(wei) 定值，P/d，當L1=L2時，怒火正方形膜層，無論方塊大小如何，其電阻均為(wei) 定值P/d，此即方塊電阻定義(yi) ：R□=P/d，式中R□單位為(wei) ：奧姆/□（Ω/□），由此可所出方塊電阻與(yu) IOT膜層電阻率P和ITO膜厚d有關(guan) 且ITO膜阻值越低，膜厚越大。

目前在高檔STN液晶顯示屏中所用ITO玻璃，其R□可達10Ω/□左右，膜厚為(wei) 100-200um，而一般低檔TN產(chan) 品的ITO玻璃R□為(wei) 100-300Ω/□，膜厚為(wei) 20-30um。

在進行LCD走線設計時，由ITO阻計算方式，可知影響ITO阻值有如下因素：#p#分頁標題#e#

1、ITO玻璃之方塊電阻

要確保走線電阻小，應酬讓ITO玻璃方塊電阻小，因為(wei) R□=P/d，則必須選P小，d適當大些的材料。

2、L1/L2

L1/L2即走線在平行電流方向與(yu) 垂直電流方向上的長度比，在R□一定時，要保證走線電阻值小，就要讓L1/L2小，當L1一定時，隻有增大L2，也說法是在設計時，走線應盡可能加寬;而當L2一定時，L1就要小，即走線寬度一定時，細線應盡可能短。

3、在LCD顯示屏設計當中，不僅(jin) 要考慮走線布對ITO阻值的影響，還要考慮生產(chan) 工藝對ITO阻值的影響，以便選擇適當方塊電阻的ITO玻璃，以便設計到製作的全麵控製，生產(chan) 高對比的LCD產(chan) 品，這時高占空比及COG產(chan) 品無為(wei) 重要，如ITO膜厚的均勻性，因為(wei) ITO的耙材及工藝的為(wei) 穩定，會(hui) 使同樣長度與(yu) 寬度的ITO阻值發生變化，如目標值為(wei) 10Ω時，其R□範圍在8-12Ω之間，所以在生產(chan) 中要使用ITO膜厚均勻的導電玻璃，以減少電阻的變化，其次為(wei) ITO玻璃的耐高溫時性，酸堿性，因為(wei) 通常LCD生產(chan) 工藝中要使用高溫烘烤及各種酸堿液的浸泡，而一般在300°C30min的環境中，會(hui) 使R□增大2-3倍，而在10wt%NaOH5min及6wt%HCL2min（60°C）下也會(hui) 增到1。1倍左右，由此可知，在生產(chan) 工藝中不宜采用高溫生產(chan) 及酸堿的長時清洗，若無法避免，則應盡量在低溫下進行並盡量縮短動作時間。

4、由於(yu) 在液晶顯示器中，ITO方塊電阻等效於(yu) 電路圖中的分壓電阻，其阻值大小直接影響電路兩(liang) 端電壓的大小，即方塊電阻越大，LCD值電壓越大。有數據表明，ITO之方塊電阻由100Ω/□降至60Ω/□。（CellGap為(wei) 6um）左右，Vth值會(hui) 降低0。03V左右。