fun88网页下载2月5日消息：近日本站從(cong) 中科院半導體(ti) 研究所獲悉，2013年2月1日，中科院計劃財務局和高技術局組織專(zhuan) 家對該所“高效大功率GaN LED外延及芯片技術” “低電壓垂直結構GaN LED芯片技術”“ 深紫外LED關(guan) 鍵材料及器件技術”及“ MOCVD重大裝備技術”等四項科技成果進行了鑒定。

　  成果鑒定會(hui) 上，由多位院士組成的鑒定委員會(hui) 委員聽取了半導體(ti) 所做的技術總結報告、測試報告、技術查新報告及用戶使用報告，審查了相關(guan) 材料，最終分別對四項成果形成了鑒定意見，各項成果綜合研究指標均達到國內(nei) 領先、國際先進水平，整個(ge) 鑒定工作圓滿完成。

　  此次成果鑒定是半導體(ti) 所在半導體(ti) 照明領域自2006年至2012年六年的成果累計，半導體(ti) 照明研發中心結合產(chan) 業(ye) 的實際情況，針對不同企業(ye) 會(hui) 對技術有不同的需求，特別是對單項技術的需求，對不同時期、不同類型的十餘(yu) 項國家項目進行了高度凝練，總結出各自具有係統性集成化的單項科學技術，以便未來成果順利轉移轉化，為(wei) 產(chan) 業(ye) 提供有力的技術支撐。