如今，快速發展的光通信市場需要大量10Gb/s APD光器件，而10Gb/s APD主要應用在距離大於(yu) 40 km的光傳(chuan) 輸係統以及正在快速增長的10G E-PON中。

　　鑒於(yu) 複雜的APD製作技術，能提供便於(yu) 商用的2.5Gb/s APD的公司都不多，主流的國外供應商隻有Sumitomo、D-tech、Cyoptics和Emcore。而國內(nei) 隻有光迅旗下的WTD和成都44所能大規模提供，其中WTD的2.5Gb/s APD年產(chan) 600萬(wan) 隻。

　　對於(yu) 10Gb/s APD，在結構設計和製作技術提出了更高的要求，國外隻有D-tech，Cyoptics，Emcore，Mitsubish能提供10Gb/s APD，10Gb/s APD的商用市場為(wei) 國外完全壟斷，10Gb/s APD芯片價(jia) 格昂貴。

　　光迅自2006年開始10Gb/s APD的研究，承擔國家“863”課題“10Gb/s雪崩光電二極管及組件研究”。目前，從(cong) 光迅芯片部嶽愛文博士處獲得可喜信息，公司已經在10Gb/s APD的結構設計和製作技術上取得關(guan) 鍵性突破，並已開發出完全滿足商用技術指標要求的10Gb/s APD芯片。

　　光迅APD芯片為(wei) 高可靠性的平麵結構，具有暗電流小於(yu) 10nA、低電容特點，APD芯片采用集成的微透鏡，容易耦合。APD的增益帶寬積高於(yu) 90GHz。封裝後的APD ROSA在誤碼率1E-12下，靈敏度優(you) 於(yu) -26dBm，APD BOSA在誤碼率1E-3下，靈敏度優(you) 於(yu) -31dBm。

　　目前，光迅的APD芯片正在進行可靠性試驗中，並將計劃於(yu) 2013年Q3進入大批量生產(chan) 階段。光迅10Gb/s APD芯片的量產(chan) 低將極大提高公司光模塊特別是10G-EPON產(chan) 品的競爭(zheng) 力。

　　今年6月有報道稱，光迅科技推出台式寬帶ASE光源，台式寬帶ASE光源是一種高穩定、高功率輸出的寬帶光源，廣泛應用於(yu) 光纖無源器件的生產(chan) 與(yu) 測試。隨著光通信係統擴展到L波段，C+L波段的寬譜ASE光源將獲得極大的應用。

　　而今年早些時候有消息稱，光迅旗下WTD在自製芯片方麵進行了大量投入。多年以來，WTD一直堅持在自製芯片方麵的研究及投入，尋求在高端前端技術上的研製和創新能力，並最終擁有了自主知識產(chan) 權的核心技術。一方麵，為(wei) 打破長年來國外器件廠商在此方麵的壟斷做出了極大的貢獻。