近日，“十一五”信息領域國家科技支撐計劃“通信光電子器件的關(guan) 鍵工藝與(yu) 支撐技術研究”項目驗收會(hui) 在武漢順利召開。會(hui) 議由科技部高新司組織召開，湖北省科技廳、項目責任專(zhuan) 家 及相關(guan) 課題承擔單位研究人員參加了會(hui) 議。

　　該項目由武漢郵電科學研究院、華中科技大學等國內(nei) 多家優(you) 勢單位共同承擔。目前，該項目已成功開發出具有自主知識產(chan) 權的基於(yu) 納米壓印技術的DWDM DFB激光器、低成本APD芯片、寬溫度範圍DFB激光器芯片、陣列波導光柵芯片、色散補償(chang) 光纖和40G DQPSK調製器及解調器，全麵掌握了多量子阱DFB激光器、高速APD探測器和陣列波導光柵等核心產(chan) 品的關(guan) 鍵製造工藝和技術，並攻克了關(guan) 鍵光電子器件製造的“空芯化”問題，對於(yu) 大幅提高產(chan) 品成品率，有效降低器件製造成本具有重要意義(yi) 。項目所研製各項產(chan) 品性能指標均與(yu) 國際水平接軌，已初步實現了規模化量產(chan) 並在國內(nei) 外市場得到了廣泛應用，累計實現6億(yi) 元銷售額。

　　該項目的順利實施，對於(yu) 全麵提升我國核心光電子芯片技術水平和自主提供能力、保持通信光電子產(chan) 業(ye) 可持續發展具有重要意義(yi) 。