摘要：Scintil采用Tower的大批量基礎PH18M矽光子代工技術，包括低損耗波導、光電探測器和調製器，在晶圓背麵單片集成DFB激光器和放大器。這一重要裏程碑對於(yu) 加強Scintil的供應鏈，滿足數據中心、人工智能(AI)和5G網絡對高性能通信解決(jue) 方案日益增長的需求至關(guan) 重要。

  ICC訊（編譯：Nina）法國Grenoble，2024年2月27日--創新矽光子集成電路(PIC)的領先供應商Scintil Photonics今天宣布，已將III-V-DFB激光器和放大器與(yu) 標準矽光子技術集成在Tower Semiconductor的生產(chan) 中，這標誌著Scintil在加強供應鏈方麵邁出了關(guan) 鍵的一步。

  Scintil的全集成電路采用獨特的專(zhuan) 有技術，依靠標準矽光子學，實現激光器和放大器的單片集成，在低功耗下為(wei) 數據中心、人工智能和5G應用帶來更高的性能、速度、可靠性和高密度。

  Scintil采用Tower的大批量基礎PH18M矽光子代工技術，包括低損耗波導、光電探測器和調製器，在晶圓背麵單片集成DFB激光器和放大器。客戶對Scintil電路的進一步測試表明，不需要密封封裝，同時證明了老化和堅固性的改善。

  Scintil Photonics總裁兼首席執行官Sylvie Menezo表示：“我們(men) 很高興(xing) 與(yu) 全球領先的晶圓代工廠Tower Semiconductor合作。在我們(men) 致力於(yu) 推進通信技術和產(chan) 品的過程中，我們(men) 的合作標誌著一個(ge) 重要的裏程碑。由於(yu) 我們(men) 的長期合作，我們(men) 有能力提供激光增強矽光子IC，重新定義(yi) 集成、性能和可擴展性。這將使Scintil能夠大批量生產(chan) ，以滿足市場需求。此外，我們(men) 的技術為(wei) 實現更多材料的集成提供了非凡的機會(hui) ，如量子點和铌酸鋰材料。”

  根據市場研究公司LightCounting的數據，矽光子收發器市場預計將以24%的複合年增長率(CAGR)增長，到2025年其總可尋址市場(TAM)將達到至少70億(yi) 美元。

  Tower Semiconductor射頻業(ye) 務部副總裁兼總經理Edward Preisler表示：“我們(men) 很高興(xing) 能夠在這個(ge) 高度集成的解決(jue) 方案中支持Scintil，該解決(jue) 方案利用了來自Tower的成熟的生產(chan) 構件。III-V光放大器/激光器的集成符合Tower Semiconductor將尖端矽光子技術推向市場的承諾。”

  關(guan) 於(yu) Scintil Photonics

  Scintil Photonics開發和銷售增強型矽光子電路，包括：單片DWDM光源，由8到16個(ge) 頻率間隔為(wei) 100或200 GHz的激光器組成;單片CWDM 800Gbit/sec和1600Gbit/sec發射機，集成了DFB激光器、放大器和接收機。該公司開發了用於(yu) 光子電路低速控製的創新電子產(chan) 品，並使用了現成的尖端高速驅動器/TIA。

  原文：Scintil achieves integration of III-V DFB lasers and amplifiers with standard silicon photonics technology in production at Tower Semiconductor;https://www.scintil-photonics.com/post/integration-of-iii-v-dfb-lasers-and-amplifiers-with-standard-silicon-photonics-technology