傳(chuan) 統PCB曝光主要采用以電路圖形原版——光掩模進行曝光的方式。然而，每次設計變更都需要重新製作掩模，對於(yu) 多品種、小批量生產(chan) 以及開發周期較短的產(chan) 品而言，成本和交期負擔較大。尤其是高端PCB多為(wei) 高階多層產(chan) 品，需要逐層重複曝光，工序數量隨之增加。每一層都需要相應的掩模，除了針對層數的掩模，在產(chan) 品迭代迅速的領域，會(hui) 進一步增加生產(chan) 負擔。

LDI（激光直接成像）曝光為(wei) 上述課題提供了解決(jue) 方案。該技術無需掩模，而是根據設計數據直接繪製圖形；設計變更時，僅(jin) 需替換數據即可應對。但要在量產(chan) 中充分發揮優(you) 勢，必須同時實現穩定繪製精細圖形的性能與(yu) 高生產(chan) 效率。

決(jue) 定兩(liang) 者能否兼顧的關(guan) 鍵，是安裝在曝光頭中的半導體(ti) 激光光源。光源的輸出功率、尺寸和壽命與(yu) 設備的生產(chan) 效率、設計自由度及維護周期密切相關(guan) 。下一節將梳理LDI光源模塊所需的“小型、高功率、長壽命”特性。

LDI設備的曝光頭內(nei) 集成了提供曝光所需光能的光源模塊。由於(yu) 單顆半導體(ti) 激光器難以達到所需光量，模塊內(nei) 部通常將多顆半導體(ti) 激光器的光束合束，以獲得更大的總光量。換言之，支撐LDI性能的起點，是合束前每一顆半導體(ti) 激光器的性能。其中，單顆器件的光輸出功率是影響模塊結構和生產(chan) 效率的重要因素。

此外，曝光頭內(nei) 部空間有限。要在有限區域內(nei) 配置光學係統、驅動電路和散熱機構，半導體(ti) 激光器本身也必須實現小型化。對於(yu) 量產(chan) 線使用的LDI設備，長期穩定運行同樣十分重要。因此，能夠同時滿足小型、高功率和長壽命要求的半導體(ti) 激光器，正是LDI光源模塊的核心器件。下一節將介紹滿足這些要求的新唐科技“KLC435FS01WW”。

新唐科技“KLC435FS01WW”在保持Φ5.6 mm TO-56 CAN小型封裝的同時，大幅提升了相較上一代產(chan) 品的光輸出功率。該產(chan) 品是一款402 nm紫色半導體(ti) 激光器，與(yu) 上一代產(chan) 品“KLC433FS01WW”的主要差異如下。

其關(guan) 鍵在於(yu) ：封裝尺寸保持不變，光輸出功率提高約40%。在同樣的小型封裝內(nei) 獲得更高光量，是本產(chan) 品的重要特點。

本產(chan) 品以小型封裝實現高輸出功率，可拓展下一節所述的LDI光源設計選項。

上一節所述約40%的輸出功率提升，為(wei) LDI光源模塊設計帶來兩(liang) 種主要選擇。具體(ti) 選擇取決(jue) 於(yu) 模塊的設計目標。

選擇A的優(you) 勢在於(yu) ：減少半導體(ti) 激光器數量後，與(yu) 每顆器件配套的光學部件、布線和位置調整工作也會(hui) 相應減少，適合希望使模塊更小型、更易於(yu) 裝配和使用的場景。

選擇B則將增加的輸出功率直接用於(yu) 提升模塊總光量，適合希望通過提高曝光速度等方式進一步提升生產(chan) 效率的場景。

上述兩(liang) 種方案的實際效果，均會(hui) 受到光學耦合效率、散熱設計、驅動條件、感光材料以及設備端光學係統等因素影響。整機生產(chan) 效率並非僅(jin) 由光源決(jue) 定，但單顆半導體(ti) 激光器的高功率化無疑可以為(wei) 客戶的產(chan) 品設計提供更多選擇。

本產(chan) 品采用半導體(ti) 激光器領域廣泛使用的Φ5.6 mm TO-56 CAN封裝。這是一種直徑5.6 mm的小型CAN封裝。對於(yu) LDI光源模塊等需要在有限空間內(nei) 集成多顆半導體(ti) 激光器的應用，該封裝形態便於(yu) 開展安裝設計評估。

在LDI光源模塊中，半導體(ti) 激光器的固定機構、散熱部件、光學布局和驅動電路等均與(yu) 光源設計密切相關(guan) 。采用廣泛使用的封裝形態，可以使用戶在充分利用現有治工具、散熱結構和光學布局等設計資源的同時，評估提升光輸出功率或縮小模塊尺寸的可能性。

另一方麵，在采用高功率半導體(ti) 激光器時，不能僅(jin) 憑是否可直接替換現有器件來作出判斷。隨著輸出功率提高，發熱和驅動條件也會(hui) 發生變化，因此需要在接近實際設備運行的條件下，對散熱、驅動等項目進行確認。

LDI設備需要在量產(chan) 線上長期穩定運行。如果光源劣化導致更換頻率上升，不僅(jin) 會(hui) 增加部件成本，還會(hui) 影響設備停機時間、維護作業(ye) 和生產(chan) 計劃。因此，作為(wei) 光源的半導體(ti) 激光器除了具備高輸出功率外，還必須能夠長期保持穩定的光輸出。

然而，半導體(ti) 激光器的輸出功率越高，發熱以及光學端麵承受的負荷通常越大。要在小型封裝中兼顧高功率和長壽命，僅(jin) 提高驅動條件並不足夠，還需要對芯片內(nei) 部光學損耗、散熱設計以及光學端麵結構進行綜合設計。

KLC435FS01WW采用自主研發的芯片設計與(yu) 散熱技術，並配備可承受強激光的光學端麵結構，從(cong) 而兼顧小型化、高輸出功率與(yu) 長壽命。長壽命光源有助於(yu) 提高模塊的可維護性，並支持量產(chan) 線穩定運行。

LDI光源模塊需要同時滿足小型、高功率和長壽命要求的半導體(ti) 激光器。在單顆光源中提升這三項性能，是支撐量產(chan) 線生產(chan) 效率和穩定運行的基礎。

新唐科技402 nm紫色半導體(ti) 激光器“KLC435FS01WW”在保持小型封裝的同時實現了高光輸出功率。通過提升單顆激光器的性能，該產(chan) 品可成為(wei) 評估LDI光源模塊小型化、高功率化和長壽命化時的重要選擇。

評估導入本產(chan) 品時，建議在接近實際設備運行的條件下確認以下項目。

如您正在評估提升LDI光源模塊的輸出功率、縮小尺寸或改善可維護性，歡迎通過以下新唐科技產(chan) 品頁麵了解詳細規格及評估樣品的相關(guan) 信息。 

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