通常對於(yu) 光通信用的激光器，波導設計用來實現單一橫向模式。通過調節包覆層周圍區域的厚度、脊型波導器件中脊形的刻蝕深度等，從(cong) 而得到單模器件。對於(yu) 激光器的重要性體(ti) 現在以下幾方麵：

1） 模式形狀會(hui) 控製器件的遠場圖案。

如上圖，不做脊型波導設計的a芯片和窄脊型波導芯片b。遠場圖案對相幹光源而言，實質就是近場圖案（器件中模式形狀）的傅裏葉變換。

   單模的遠場圖案對於(yu) 脊形波導器件是一個(ge) 適中的30°發散角的較遠的光束，大麵積器件的遠場圖案則拉的很長，麵內(nei) 發射幾度，麵外非常發射。對於(yu) 後期耦合到光纖是是非困難的。

2）激光器需要單模的第二個(ge) 原因：器件實現真正單波長非常必要。DFB激光是使用周期光柵製備單模激光器，這是基於(yu) 有效折射率來反射單一波長，不同橫向模式具有不同的有效折射率，因此具有DFB光柵的多模波導可以有一個(ge) 以上的波長輸出。

  現實中，介質波導隻是半導體(ti) 激光器實際波導的簡單一階模型。激光器的波導區域也是增益區域，所以折射率具有與(yu) 增益相關(guan) 聯的複數部分（或者說無電流時的損耗分量）。

     光學模式成為(wei) “增益導向”以及折射率導向，而不需要真正精確的光學截止設計，這種增益導向的趨勢是偏向單一模式的傳(chuan) 播。實踐中，根據折射率分布計算的遠場和模式結構細節，可能與(yu) 製造器件的測量值有顯著不同。

  作為(wei) 波導， 半導體(ti) 激光器將同時支持TE和TM模式，TE是橫向電場，TM是橫向磁場。但是在半導體(ti) 量子阱激光器中，發射的光主要是TE極化。這是基於(yu) 腔麵處，TE和TM模式的反射係數不同，而且大多數激光器都本征的高度極化。

   對於(yu) TE和TM模式，隻有某些離散的角度可以成為(wei) 導引模式，從(cong) 而沿波導傳(chuan) 播。就像標準具的中的光，必須經過相長幹涉來使標準具支持某個(ge) 特定波長一樣，波導中的光也必須經過相長幹涉，讓特定“模式”得以存在，對應於(yu) 特定的入射角。

   在波導的分析中，典型的做法是固定波長，而自然選擇其傳(chuan) 播的角度，理由是一樣的，假設腔體(ti) 中的平麵波源自底部邊緣上的所有點，如果往返行程不是波長的整數倍的話，相消幹涉將最終導致該光波消失。

允許模式的定義(yi) 是，兩(liang) 個(ge) 等效點之間的淨相位差是2π的整數倍。