近期，中國科學院半導體(ti) 研究所科技成果轉化企業(ye) 北京晶飛半導體(ti) 科技在碳化矽晶圓加工技術領域取得重大突破，成功利用自主研發的激光剝離設備實現了12英寸碳化矽晶圓的剝離。該突破標誌著中國在第三代半導體(ti) 關(guan) 鍵製造裝備領域邁出重要一步，為(wei) 全球碳化矽產(chan) 業(ye) 的降本增效提供了全新解決(jue) 方案。

本次技術突破對碳化矽產(chan) 業(ye) 發展具有多重意義(yi) ，主要包括：大幅降低生產(chan) 成本：12英寸碳化矽晶圓相比目前主流的6英寸晶圓，可用麵積提升約4倍，單位芯片成本降低30%—40%；提升產(chan) 業(ye) 供給能力：解決(jue) 了大尺寸碳化矽晶圓加工的技術瓶頸，為(wei) 全球碳化矽產(chan) 能擴張提供了設備保障；加速國產(chan) 化替代進程：打破了國外廠商在大尺寸碳化矽加工設備領域的技術壟斷，為(wei) 我國半導體(ti) 裝備自主可控提供了重要支撐；促進下遊應用普及：成本降低將加速碳化矽器件在新能源汽車、可再生能源等領域的應用。